隨著氮化鎵GaN技術(shù)在PD快充領(lǐng)域的普及，充電器正朝著更小巧、更高效的方向發(fā)展。不過(guò)工程師在設(shè)計(jì)GaN充電器時(shí)，卻面臨一些棘手挑戰(zhàn)：在高頻狀態(tài)下，電磁干擾EMI頻繁發(fā)生，這導(dǎo)致設(shè)備兼容性下降；器件間協(xié)同性也不夠充足，進(jìn)而引發(fā)了效率波動(dòng)及穩(wěn)定性的風(fēng)險(xiǎn)。電路之中的這些問(wèn)題猶如“暗礁”，稍微一不小心，便會(huì)對(duì)產(chǎn)品性能以及用戶(hù)體驗(yàn)造成影響。

GaN器件的高開(kāi)關(guān)速度在縮小磁性元件體積的同時(shí)，也放大了寄生參數(shù)的負(fù)面影響。一是寄生電感振蕩，PCB布局中的線路電感與MOS管的輸出電容形成LC諧振，在100kHz以上頻段產(chǎn)生＞20dBμV/m的輻射噪聲，導(dǎo)致EMI測(cè)試超標(biāo)。二是驅(qū)動(dòng)信號(hào)失真，柵極寄生電容與驅(qū)動(dòng)電阻的RC延遲，這種情況可能使開(kāi)關(guān)波形出現(xiàn)振鈴，進(jìn)而增加器件損耗，并降低可靠性。

 

解決寄生電感振蕩和驅(qū)動(dòng)信號(hào)失真的問(wèn)題，其關(guān)鍵需要在器件選型與電路設(shè)計(jì)同時(shí)進(jìn)行：

1.寄生電感振蕩：切斷“振蕩源頭”

器件選型時(shí)，選低寄生電感封裝，如PDFN5X6封裝的HKTG48N10，通過(guò)裸露漏極焊盤(pán)設(shè)計(jì)，降低LC諧振強(qiáng)度；在電路設(shè)計(jì)上，縮短功率回路走線，優(yōu)化PCB布局，從源頭削弱振蕩能量，再加吸收電路，可快速吸收電壓尖峰。

2.驅(qū)動(dòng)信號(hào)失真：精準(zhǔn)控制“信號(hào)延遲”

器件選型時(shí)，選低柵極電荷器件，如HKTQ80N03的電荷僅38nC，這樣能減少驅(qū)動(dòng)電阻負(fù)擔(dān)，讓開(kāi)關(guān)延遲時(shí)間更穩(wěn)定；電路設(shè)計(jì)上，加上RC阻尼網(wǎng)絡(luò)，用來(lái)濾除高頻毛刺，把驅(qū)動(dòng)信號(hào)振鈴壓降至5%以?xún)?nèi)，從而避免器件誤觸發(fā)。根據(jù)Ciss參數(shù)（如≤4000pF）來(lái)選擇驅(qū)動(dòng)芯片，以確保充電電流足夠，可避免信號(hào)上升、下降沿拖尾。

就像“減少齒輪摩擦”那樣，選對(duì)低寄生參數(shù)的器件，如HKTG48N10、HKTQ80N03，搭配上簡(jiǎn)潔的外圍電路吸收網(wǎng)絡(luò)以及阻尼電阻，如此一來(lái)，就能使高頻開(kāi)關(guān)過(guò)程更“順暢”，既降低EMI噪聲，又減少損耗，讓GaN充電器高效又穩(wěn)定。

MOSFET的高頻“默契”考驗(yàn)：

在GaN充電器的高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景中，MOS管的寄生電容與電感如同看不見(jiàn)的“耦合器”。如若參數(shù)匹配不當(dāng)，很容易引發(fā)振蕩及損耗。以具有低寄生電容的MOSFET為例，它能夠減少高頻開(kāi)關(guān)時(shí)的能量“回彈”從而降低損耗，這樣就確保電流切換更為精準(zhǔn)，恰如精密鐘表的齒輪，每一次轉(zhuǎn)動(dòng)皆需嚴(yán)絲合縫。

當(dāng)下，半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)GaN配套分立器件的研發(fā)愈發(fā)深入。從材料優(yōu)化到封裝創(chuàng)新，旨在降低高頻下的寄生參數(shù)所帶來(lái)的影響，提升器件在電路中的協(xié)同。這些努力正推動(dòng)GaN充電器向更高頻率、更低損耗的方向不斷邁進(jìn)。在分立器件制造領(lǐng)域，合科泰等廠商專(zhuān)注聚焦于高頻場(chǎng)景需求，不斷地對(duì)產(chǎn)品性能進(jìn)行優(yōu)化。通過(guò)精細(xì)的參數(shù)設(shè)計(jì)以及工藝把控，助力工程師應(yīng)對(duì)GaN快充充電器的高頻挑戰(zhàn)。