JSM2003STR250V單相高低側(cè)功率MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片

在電力電子領(lǐng)域，功率驅(qū)動芯片猶如 “神經(jīng)中樞”，直接決定著功率器件的開關(guān)效率、系統(tǒng)穩(wěn)定性與安全可靠性。隨著電機(jī)控制、智能家電、逆變器等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅茯?qū)動芯片的需求激增，一款能兼容經(jīng)典型號、且在性能上實(shí)現(xiàn)突破的驅(qū)動芯片，成為工程師們的迫切需求。

杰盛微（JSMSEMI）深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域多年，重磅推出的JSM2003STR 250V 單相高低側(cè)功率 MOSFET/IGBT 驅(qū)動芯片，不僅完美替代 TF2003M、IRS2003 等經(jīng)典型號，更在可靠性、效率與適配性上實(shí)現(xiàn)全面升級，為工業(yè)與消費(fèi)電子領(lǐng)域提供了更優(yōu)解。

一、概覽

        JSM2003是一款高壓、高速功率 MOSFET 高低側(cè)驅(qū)動芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。JSM2003采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS 或 LSTTL 邏輯輸出電平，輸出具有大電流脈沖能力和防直通的死區(qū)邏輯。

        JSM2003其浮動通道可用于驅(qū)動高壓側(cè)N溝道功率 MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達(dá) 250V。JSM2003采用 SOP-8 封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內(nèi)工作。

二、產(chǎn)品特性

• 自舉工作的浮地通道

• 最高工作電壓為+250V

• 兼容 3.3V, 5V 和 15V 輸入邏輯

• dVs/dt 耐受能力可達(dá)+50 V/ns

• Vs 負(fù)偏壓能力達(dá)-9V

• 柵極驅(qū)動電壓從 10V到 20V

• 集成欠壓鎖定電路

  --欠壓鎖定正向閾值 8.9V

  --欠壓鎖定負(fù)向閩值 8.2V

• 防直通死區(qū)邏輯

  --死區(qū)時間設(shè)定 520ns

• 芯片傳輸延時特性

  --開通/關(guān)斷傳輸延時 Ton/Toff=160ns/150ns

  --延遲匹配時間 30ns

• 寬溫度范圍-40°C~125°C

• 輸出級拉電流/灌電流能力 290mAV600mA

• 符合 RoSH 標(biāo)準(zhǔn)

• SOP-8

三、應(yīng)用范圍

• 電機(jī)控制

• 空調(diào)/洗衣機(jī)

• 通用逆變器

• 微型逆變器驅(qū)動

四、技術(shù)參數(shù)詳解：硬核實(shí)力看得見

1. 極限工作范圍

• 超過極限最大額定值可能造成器件永久性損壞。所有電壓參數(shù)的額定值是以 VSS 為參考的，環(huán)境溫度為 25℃。

2. 推薦工作范圍：

• 為了正確地操作，器件應(yīng)當(dāng)在以下推薦條件下使用。Vs和 VSS 的偏置額定值是在電源電壓為 15V 時進(jìn)行測量的，無特殊說明的情況下，所有電壓參數(shù)的額定值是以 VSS 為參考的，環(huán)境溫度為25℃。
  

五、引腳功能描述

六、功能框圖

杰盛微深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域十余年，始終以 “國產(chǎn)替代，性能更優(yōu)” 為目標(biāo)。從芯片設(shè)計到封裝測試，全流程自主可控，確保每一顆 JSM5109G 都符合車規(guī)級質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

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