JSM21834STR4A 700V集成自舉高側同低側反驅動芯片

一、產品概述

JSM21834S是高壓、高速功率MOSFETIGBT高低側驅動系列芯片，具有兩個非獨立傳輸通道。內部集成了高、低側欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路、和防直通鎖定電路等保護電路，具備大電流脈沖輸出能力，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，輸出電流能力最大可達4A，其浮地通道最高工作電壓可達700V。可用于驅動N溝道高壓功率MOSFETIGBT等器件。JSM21834S采用SOP-14封裝，可以在-40C至125℃溫度范圍內工作。

二、核心產品特性

• 自舉工作的浮動通道

• 最高工作電壓為 700V

• 兼容 3.3 V, 5V 和 15V 輸入邏輯

• dV/dt 耐受能力可達±50 V/nsec

• Vs負壓耐受能力達-9V

• 柵極驅動電壓:10V到20V

• 高、低側欠壓鎖定電路

  --欠壓鎖定正向閱值 8.9V

  --欠壓鎖定負向閾值 8.2V

• 死區時間可通過外部電阻(RDT)調節:

  --DT=400ns@RDT=0

  -- DT=5μS@RDT=200kΩ

• 芯片開通/關斷傳輸延時

  --Ton/Toff =130ns/130ns

• 高低側廷時匹配

• 驅動電流能力:

  --拉電流/灌電流=4.0A/4.0A

• 符合 RoSH 標準

• SOP-14

三、硬核性能參數解析

（一）電壓與電流能力

最高工作電壓：可達 700V，浮地通道能輕松應對高壓場景需求。

柵極驅動電壓：范圍在 10V 到 20V 之間，為功率器件提供穩定的驅動電壓。

驅動電流能力：拉電流和灌電流均能達到 4.0A，強大的電流輸出確保功率器件快速開關。

（二）保護與兼容特性

保護電路集成：內部包含高、低側欠壓鎖定電路，欠壓鎖定正向閾值為 8.9V，負向閾值為 8.2V；還集成過壓鉗位電路和防直通鎖定電路，全方位保障芯片及功率器件安全。

邏輯兼容性：兼容 3.3V、5V 和 15V 輸入邏輯，可與多種邏輯電平的控制電路無縫對接。

（三）動態性能表現

傳輸延時：開通和關斷傳輸延時均為 130ns，高速的信號響應讓控制更精準。

dV/dt 耐受能力：可達 + 50V/nsec，Vs 負壓耐受能力達 - 9V，在復雜電磁環境中穩定性更強。

死區時間調節：可通過外部電阻（RDT）靈活調節，當 RDT=0 時死區時間為 400ns，當 RDT=200kΩ 時死區時間為 5μs，有效避免功率器件直通。

四、應用范圍

憑借其優異的性能，JSM21834STR 的應用范圍十分廣泛：

• 電機控制：為各類電機提供穩定高效的驅動，確保電機運行平穩。

• 家電領域：適用于空調、洗衣機等家電設備，提升家電的能效與可靠性。

• 逆變器應用：可用于通用逆變器和微型逆變器驅動程序，實現高效的能量轉換。

五、引腳功能描述

極限與環境參數

ESD 額定值

 推薦工作范圍

市場優勢顯著，引領行業新潮流

供應穩定，滿足市場需求

在電子元器件市場，供應的穩定性至關重要。JSM21834 背后的供應商具備強大的生產能力和完善的供應鏈體系，能夠確保芯片的穩定供應。無論是大規模的工業生產，還是小型的電子產品研發，都能及時獲得所需的 JSM21834 芯片，有效避免了因芯片短缺而導致的生產停滯和項目延誤。相比之下，市場上 IRS21834 的供應可能會受到各種因素的影響，如原廠產能調整、供應鏈中斷等，給用戶帶來諸多不便。JSM21834 的穩定供應，為用戶提供了可靠的保障，使其能夠更加安心地進行產品設計和生產。

性價比突出，助力企業降本增效

在追求高性能的同時，成本也是企業在選擇芯片時需要重點考慮的因素。JSM21834 以其出色的性能和合理的價格，展現出了極高的性價比。它在提供超越 IRS21834 性能的同時，價格卻具有競爭力，能夠幫助企業在不增加過多成本的前提下，提升產品的性能和質量。這對于追求成本效益最大化的企業來說，無疑是一個極具吸引力的選擇。通過使用 JSM21834 替代 IRS21834，企業可以在降低采購成本的同時，提高產品的市場競爭力，實現降本增效的目標。

綜上所述，JSM21834 在性能、應用和市場等方面都展現出了超越 IRS21834 的優勢。它不僅為電子設備的設計和制造提供了更強大、更可靠的驅動解決方案，還為企業帶來了諸多實際的利益。無論是從技術創新的角度，還是從市場需求的角度來看，JSM21834 都當之無愧地成為替代 IRS21834 的不二之選。相信在未來，JSM21834 將在電子元器件市場中大放異彩，引領行業發展的新潮流。讓我們共同期待 JSM21834 在更多領域創造出令人矚目的成就，為電子產業的發展注入新的活力。

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