三星重啟平澤P5工廠建設(shè)，瞄準下一代HBM4市場

三星電子正加緊恢復(fù)位于韓國京畿道的平澤第五工廠（P5）的建設(shè)，旨在確保下一代高帶寬存儲器（HBM）的搶先產(chǎn)能。

據(jù)報道，三星電子平澤園區(qū)第五工廠的工人們正忙著搬運鋼結(jié)構(gòu)并接受安全培訓(xùn)，這表明全面開工的準備工作正在緊鑼密鼓地進行。該公司計劃最早于10月破土動工，恢復(fù)投資。三星電子最初計劃去年開工建設(shè)第五工廠，但由于半導(dǎo)體市場狀況惡化而推遲了建設(shè)。

三星電子通過P5工廠的奠基，旨在擴大HBM的供應(yīng)。HBM是一種高性能內(nèi)存，通過垂直堆疊多個DRAM，顯著提升數(shù)據(jù)處理速度。目前市場領(lǐng)先的是第五代產(chǎn)品HBM3E，廣泛應(yīng)用于英偉達的Blackwell芯片中。據(jù)悉，三星電子有望在本月通過英偉達的HBM3E資格認證測試。

在向英偉達大規(guī)模供應(yīng)HBM3E后，三星電子計劃在第六代HBM4市場上占據(jù)優(yōu)勢。HBM4將搭載于英偉達下一代AI加速器圖形處理單元（GPU） Rubin上。盡管三星的HBM開發(fā)速度較競爭對手SK海力士落后約三個月，但公司計劃通過加強生產(chǎn)能力迅速迎頭趕上。

英偉達預(yù)計將于明年第一季度完成HBM4質(zhì)量驗證，并最終確定其將于下半年發(fā)布的下一代AI GPU Rubin系列的HBM4供應(yīng)商和數(shù)量。

為提前向英偉達供應(yīng)HBM4，三星電子計劃將10nm級第六代（1c）DRAM工藝引入平澤P4工廠的空余生產(chǎn)線。這一戰(zhàn)略舉措旨在利用業(yè)界最先進的工藝大規(guī)模生產(chǎn)用于HBM4的DRAM。三星電子已完成HBM4的內(nèi)部量產(chǎn)審批，并準備進行樣品生產(chǎn)，以便與客戶進行供應(yīng)討論。

半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)人士表示，“預(yù)計明年起存儲器市場將逐步復(fù)蘇，HBM需求將進一步增加”，并補充道，“這被解讀為三星為不錯過機遇而提前確保產(chǎn)能的策略”。

KB證券研究員Kim Dong-won分析稱，“三星電子將通過明年第一季度平澤園區(qū)的新擴建，擴大2026年在HBM市場的份額”，“很有可能從第四季度開始進行HBM4的初期生產(chǎn)”。（校對/趙月）