積塔半導體7.2億元成立新公司,深化半導體產業鏈布局
關鍵詞: 上海積塔創能半導體 半導體產業鏈 積塔半導體 功率半導體 車規芯片
近日,上海積塔創能半導體有限公司正式宣告成立,注冊資本高達7.2億元人民幣,法定代表人為王輝。該公司由上海積塔半導體有限公司全資控股,位于中國(上海)自由貿易試驗區臨港新片區云漢路979號2樓,標志著積塔半導體在半導體產業鏈上的布局邁出了重要一步。

上海積塔創能半導體有限公司的經營范圍廣泛,涵蓋半導體分立器件銷售、電力電子元器件銷售、電子元器件批發與零售、技術服務與開發、電子產品及計算機軟硬件的銷售與技術支持、信息系統集成服務,以及貨物與技術進出口等多項業務。
母公司背景
上海積塔半導體有限公司作為積塔創能的母公司,成立于2017年,專注于集成電路芯片特色工藝的研發與生產制造。公司為汽車電子、工業控制和高端消費電子領域提供微控制器、模擬電路、功率器件、傳感器等核心芯片特色工藝制造平臺和技術服務。積塔半導體自成立以來,已獲得包括上汽集團、中微公司、華大半導體等在內的多家產業資本投資,并持續擴大在功率半導體和車規芯片領域的產能與技術投入。
目前,積塔半導體在中國(上海)自由貿易試驗區臨港新片區和徐匯區建有兩個廠區,已建和在建產能共計30萬片/月(折合8英寸計算),其中6英寸7萬片/月、8英寸12萬片/月、12英寸6萬片/月、碳化硅1萬片/月,展現了強大的生產制造能力。值得一提的是,其臨港生產基地是國家重點支持的集成電路項目之一,具備成熟的車規級芯片制造能力。
技術實力與創新
在技術層面,積塔半導體長期深耕功率IGBT工藝,積累了豐富的開發經驗和量產經驗。公司已成功開發了1200V~6500V平面非穿通型IGBT和平面場終止型IGBT,以及600V~1700V溝槽高能場終止型IGBT。這些技術的產品廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變、變頻器、焊機、智能電網、機車拖動等領域,體現了積塔半導體在功率IGBT工藝上的領先地位。
此外,積塔半導體在第三代半導體領域也早早布局,是國內較早具備碳化硅(SiC)功率器件制造能力的企業。其工藝技術平臺覆蓋多種類型,已建成自主知識產權的車規級650V/750V/1200V碳化硅JBS工藝平臺和MOSFET工藝平臺。2023年底,積塔半導體與安建半導體達成合作,進一步加速平面型碳化硅MOS器件開發,并攜手邁進新一代溝槽型碳化硅MOS器件開發,后者在成本和性能方面具有更強優勢。
未來展望
此次設立積塔創能,被業內視為積塔半導體在當前國產替代加速、新能源汽車與工業智能化需求高漲背景下,進一步整合資源、拓展市場渠道的戰略舉措。通過新公司開展元器件銷售與技術服務,有望打通“制造—銷售—應用”閉環,提升客戶響應效率與整體解決方案能力。
分析人士指出,在國家大力支持集成電路產業發展的政策環境下,積塔半導體此舉不僅有助于鞏固其在功率半導體和車規芯片領域的領先地位,也將為上海臨港新片區打造世界級集成電路產業集群注入新動能。
責編:Luffy