SK海力士加深與臺積合作 攜手研發(fā)新型HBM基礎(chǔ)裸晶

AI存儲器龍頭SK海力士揭露其新世代存儲器技術(shù)藍圖，目標要跨過AI世代“存儲器高墻”的障礙，并透露正與臺積電（2330）密切合作下一代高頻寬存儲器（HBM）基礎(chǔ)裸晶（base dies），目標成為“全線AI存儲器創(chuàng)造者”。

SK海力士在AI用的HBM洞燭機先，超越三星，成為業(yè)界霸主。SK海力士強調(diào)，存儲器不再只是一個普通元件，而是正在演變成AI產(chǎn)業(yè)中的核心價值產(chǎn)品。

SK海力士認為，盡管AI的采用正在加速中，導致資訊流量爆炸性成長，但支援這些成長的硬體技術(shù)，尤其是存儲器性能，未能與處理器的進步保持同步，形成所謂“存儲器高墻”的障礙。

SK海力士指出，集團一直扮演“全線存儲器供應商”角色，專注于及時提供符合客戶需求的產(chǎn)品，然而，隨著存儲器重要性增加，單純的“供應商”角色已不足以滿足市場需求，因此，集團新的目標是成為“全線AI存儲器創(chuàng)造者”。

SK海力士揭露其新世代存儲器技術(shù)藍圖，包括客制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）等三大方針。

SK海力士并針對AI DRAM（AI-D）細分為三大類，首先是AI-D O（Optimization）優(yōu)化，主打低功耗、高性能DRAM，目的在降低總體擁有成本并提高營運效率。其次是AI-D B（Breakthrough）的突破，為克服“存儲器高墻”的解決方案產(chǎn)品，其特點是超高容量存儲器和靈活的存儲器分配。第三為 AI-D E（Expansion）的擴展，目的為擴展DRAM的使用案例，不僅限于數(shù)據(jù)中心，還擴展至機器人、移動性和工業(yè)自動化等領(lǐng)域，該解決方案包含HBM。

AI NAND（AI-N）方面， SK海力士也正準備三種下一代儲存解決方案，包括AI-N P（Performance）提高性能、 AI-N B（Bandwidth）加大頻寬、AI-N D（Density）發(fā)展密度。

SK海力士并透露，正與臺積電密切合作下一代HBM基礎(chǔ)裸晶。業(yè)界指出，SK海力士特別提到臺積電，意味臺積電在AI時代扮演的角色日益重要。

SK海力士是臺積電于2022年成立的“3D Fabric聯(lián)盟”的成員之一，雙方積極加強合作。SK海力士去年與臺積電簽合作備忘錄，攜手進行HBM4研發(fā)。