STP6N80K5

STP6N80K5

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V

Id-連續(xù)漏極電流: 4.5 A

Rds On-漏源導通電阻: 1.6 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 13 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 85 W

通道模式: Enhancement

商標名: MDmesh

系列: STP6N80K5

封裝: Tube

商標: STMicroelectronics

配置: Single

下降時間: 16 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 7.5 ns

包裝數(shù)量：1000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 28.5 ns

典型接通延遲時間: 16 ns

單位重量:2 g