HESDNC5VB1AF-B_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/5.5A 參數(shù)4：電容Cj/10.0pF 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款DFN1006-2L封裝的雙向ESD靜電防護(hù)二極管，適用于5V系統(tǒng)，提供單通道高效保護(hù)。具備5.5A峰值脈沖電流IPP能力，有效抵御雙向瞬態(tài)ESD沖擊，確保敏感電子設(shè)備安全。僅10pF結(jié)電容設(shè)計，保證高速信號線路在遭受靜電放電時仍能保持優(yōu)異的信號完整性，是現(xiàn)代集成化電子產(chǎn)品理想的抗ESD解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HESDNC5VB1AF-B_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤 參數(shù)1：Bi雙向 參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/5.5A 參數(shù)4：電容Cj/10.0pF 標(biāo)價：歡迎咨詢

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