LESD8D12CT5G_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/12.0V 參數(shù)3：電流IPP/8.0A 參數(shù)4：電容Cj/8.0pF 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款DFN1006-2L封裝的雙向ESD靜電防護二極管，專為12V系統(tǒng)提供高級別的單通道保護。具備高達8A的峰值脈沖電流IPP能力，有效吸收和抑制雙向瞬態(tài)ESD沖擊，確保電子設(shè)備免受靜電損害。8pF低結(jié)電容設(shè)計有助于保持高速信號線路傳輸質(zhì)量，是現(xiàn)代高性能接口及便攜式電子設(shè)備的理想ESD防護解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

LESD8D12CT5G_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤 參數(shù)1：Bi雙向 參數(shù)2：電壓VRWM/12.0V 參數(shù)3：電流IPP/8.0A 參數(shù)4：電容Cj/8.0pF 標(biāo)價：歡迎咨詢

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