BSZ050N03LS G-HXY_DFN3x3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3x3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/100A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/5.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

描述: 這款N溝道消費(fèi)級MOSFET采用極緊湊DFN3X3-8L封裝，專為大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定電壓30V，可承載高達(dá)100A連續(xù)電流，尤其適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)和高功率密度系統(tǒng)，具備卓越的導(dǎo)通性能與高效散熱技術(shù)，是現(xiàn)代電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)小型化與高性能的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BSZ050N03LS G-HXY_DFN3x3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3x3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/100A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/5.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3x3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/100A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/5.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢