AON3419-HXY_DFN3x3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3x3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/32A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/12mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，具有緊湊且高效的特點(diǎn)。額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)32A，適用于空間受限的電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)應(yīng)用場合，提供卓越的低導(dǎo)通電阻和高功率密度解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

AON3419-HXY_DFN3x3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3x3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/32A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/12mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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