IRFH9310TRPBF-HXY_DFN5x6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/90A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/4.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款高性能P溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用超小型DFN5X6-8L封裝，專為高功率密度和大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件具有30V額定電壓，并能承載高達(dá)90A的連續(xù)電流，適用于高效電源開關(guān)、電池管理系統(tǒng)以及大電流負(fù)載切換場(chǎng)景，提供卓越的能效與出色的散熱性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想核心組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRFH9310TRPBF-HXY_DFN5x6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/90A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/4.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/90A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/4.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢