GBJ3510_GBJ_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBJ 類別：整流橋最小包裝：250盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@12.5A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 30A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 350A 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

描述: 這款GBJ封裝的高性能整流橋，專為高功率、大電流應用場合打造。具備1000V的卓越反向電壓額定值（VR），確保在高壓環境下穩定運行。其特色在于，在12.5A工作電流下正向壓降VF低至1.05V，有效提升電源轉換效率并降低功耗。更值得關注的是，器件擁有強大的瞬態峰值電流承載能力高達30A（IO），確保在極端條件下仍能提供卓越的性能表現。適用于各類需要處理極高電流強度及高電壓的電路設計，是您構建高效、可靠電源系統的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBJ3510_GBJ_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBJ 類別：整流橋 最小包裝：250盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@12.5A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 30A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 350A 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBJ 類別：整流橋最小包裝：250盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@12.5A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 30A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 350A 標價：歡迎咨詢