GBL610_GBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBL 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@3A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 6A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 175A 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款GBL封裝整流橋器件，專為高效率電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計。具有1000V的高強(qiáng)度反向電壓額定值（VR），確保在嚴(yán)苛高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。其特性在于3A電流下的正向壓降VF僅為1.1V，有效減少能耗并提升系統(tǒng)性能表現(xiàn)。器件具備出色的電流處理能力，最大連續(xù)輸出電流可達(dá)6A（IO），確保在中等至大電流應(yīng)用場合下持續(xù)高效運作。適用于各類要求高電壓、高可靠性的電路設(shè)計，是您實現(xiàn)優(yōu)質(zhì)電源轉(zhuǎn)換的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBL610_GBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBL 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@3A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 6A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 175A 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBL 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@3A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 6A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 175A 標(biāo)價：歡迎咨詢