GBU1510_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 15A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 此款GBU封裝整流橋器件，以其卓越的性能和穩定性脫穎而出。其具備1000V的高反向電壓額定值（VR），即使在10A連續工作電流下，正向壓降VF也能保持在低至1.05V，有效優化系統能效表現。同時，該器件具有強大的持續電流承載能力，高達15A（IO），確保了在嚴苛條件下仍能穩定可靠地運行。這款整流橋適用于各類高電壓、大電流應用環境，是您電路設計的理想之選，助您實現高效穩定的電源轉換。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBU1510_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 15A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 15A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標價：歡迎咨詢