臺(tái)積電：2nm芯片將于2025年投產(chǎn) 首次使用GAA技術(shù)

第一季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，臺(tái)積電報(bào)告稱正全力以赴地開(kāi)發(fā)下一代工藝節(jié)點(diǎn)。這家半導(dǎo)體巨頭計(jì)劃在今年晚些時(shí)候?qū)⑼懂a(chǎn)首批 3 納米工藝，并在 2025 年底前做好 2 納米工藝的準(zhǔn)備。

 

在本次電話會(huì)議上，高盛公司的分析師 Bruce Lee 向臺(tái)積電首席執(zhí)行官魏哲家（C.C. Wei）詢問(wèn)了 2 個(gè)問(wèn)題。第 1 個(gè)問(wèn)題是關(guān)于通貨膨脹和整個(gè)經(jīng)濟(jì)，魏哲家回答說(shuō)，臺(tái)積電作為全球領(lǐng)先的代工企業(yè)，有能力應(yīng)對(duì)市場(chǎng)的波動(dòng)。

第 2 個(gè)問(wèn)題則是詢問(wèn)了 2 納米節(jié)點(diǎn)的時(shí)間表。魏哲家表示：“我們的 N2 開(kāi)發(fā)正在進(jìn)行中。......我們有信心，N2將繼續(xù)保持我們的技術(shù)領(lǐng)先地位，支持客戶的增長(zhǎng)。而且我們?nèi)匀挥?jì)劃在2025年投產(chǎn)。預(yù)生產(chǎn)將在 2024 年開(kāi)始”。

據(jù)悉，在 N2 上臺(tái)積電首次使用 GAA FET(全環(huán)繞柵極晶體管)，逐漸取代 finFET (鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。三星已經(jīng)開(kāi)始使用他們版本的GAA，英特爾計(jì)劃在2024年實(shí)施他們的版本。一位分析師向魏哲家詢問(wèn)此事，但他避而不答。

 

今年下半年，臺(tái)積電將把N3工藝投入生產(chǎn)。一年后，或者可能更早，它將準(zhǔn)備將N3E工藝投入生產(chǎn)，這是N3的"增強(qiáng)性能、功率和產(chǎn)量"版本。

臺(tái)積電預(yù)測(cè)，HPC（高性能計(jì)算）將是其今年增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域。上一季度HPC產(chǎn)生了41%的收入，僅比智能手機(jī)產(chǎn)生的40%略高。物聯(lián)網(wǎng)和汽車排在第三和第四位，分別創(chuàng)造了8%和5%的收入。