美光發(fā)布業(yè)界首款232層3D NAND Flash，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)！同時(shí)推出三年長(zhǎng)合約

近日，存儲(chǔ)芯片大廠美光（Micron）發(fā)布表了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，并計(jì)劃將這款 232 層堆棧 3D NAND Flash芯片應(yīng)用于包括固態(tài)硬盤等產(chǎn)品上，預(yù)計(jì)在 2022 年底左右開始量產(chǎn)。

據(jù)介，這款232 層堆棧的 3D NAND Flash采用的是3D TLC 架構(gòu)，原始容量為 1Tb（128GB）。而且，該存儲(chǔ)器基于美光的 CuA 架構(gòu)，并使用 NAND 字符串堆棧技術(shù)，在彼此的頂部建立兩個(gè) 3D NAND 陣列。

而在 CuA 設(shè)計(jì)的 232 層堆棧的3D NAND Flash中，將大大減少美光 1Tb 3D TLC NAND Flash 的尺寸，這有望于降低生產(chǎn)成本，使美光能夠?qū)Σ捎眠@些存儲(chǔ)器的設(shè)備進(jìn)行更有競(jìng)爭(zhēng)力的定價(jià)，或者增加其利潤(rùn)率。

不過，美光并沒有宣布其新的 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片的 I/O 速度或平面數(shù)量，但暗示與現(xiàn)有的 3D NAND Flash相比，新的存儲(chǔ)器將提供更高的性能，這對(duì)采用 PCIe 5.0 界面的下一代 SSD 特別有用。

此外，美光還強(qiáng)調(diào) 232 層堆棧的 3D NAND Flash將比上一代的產(chǎn)品更功耗更低，使用在低功耗產(chǎn)品上更具節(jié)能優(yōu)勢(shì)。

美光的技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 指出，該公司已經(jīng)與內(nèi)部和第三方 NAND Flash 控制 IC的開發(fā)者密切合作，以建立對(duì)新型存儲(chǔ)器的支援。美光預(yù)計(jì) 2022 年年底開始生產(chǎn) 232 層堆棧的 3D NAND Flash ，預(yù)計(jì)采用新存儲(chǔ)器的固態(tài)硬盤將在 2023 年左右問世。

值得一提的是，美光同一時(shí)間還宣布，鑒于存儲(chǔ)芯片價(jià)格頻繁波動(dòng)，將簽實(shí)驗(yàn)性芯片供應(yīng)長(zhǎng)期合約，為期三年，試圖緩和芯片價(jià)格波動(dòng)。此外，美光也看好云端需求及汽車芯片應(yīng)用，存儲(chǔ)芯片未來需求長(zhǎng)期看多。

美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana說：“我很高興在此宣布，已經(jīng)有十家客戶與我們簽署這種新型態(tài)合約，為期三年，每年銷售額超過5億美元。”

Sumit Sadana不愿預(yù)測(cè)會(huì)有多少客戶改使用美光的實(shí)驗(yàn)性長(zhǎng)合約，強(qiáng)調(diào)這種銷售機(jī)制還處于實(shí)驗(yàn)性階段。他表示，目前銷售合約是基于供應(yīng)量，沒有規(guī)范價(jià)格。新的實(shí)驗(yàn)性質(zhì)長(zhǎng)約既規(guī)定出貨量，也根據(jù)預(yù)期售價(jià)做出定價(jià)。

他承認(rèn)，在這種價(jià)量皆有約束的新形態(tài)長(zhǎng)約中，到時(shí)總有一方會(huì)因市場(chǎng)現(xiàn)貨價(jià)格與合約價(jià)格有價(jià)差，遭遇不利狀況。不過，美光不打算藉由降低獲利率來推廣這種新型態(tài)長(zhǎng)期合約，“市場(chǎng)價(jià)格有起有伏，但長(zhǎng)期而言，（價(jià)格穩(wěn)定）最終會(huì)是利大于弊。”

美光在12日的投資人會(huì)議上簡(jiǎn)報(bào)說，旗下生產(chǎn)的DRAM及NAND閃存的后續(xù)市場(chǎng)看好，預(yù)期長(zhǎng)期營(yíng)收增長(zhǎng)量會(huì)落在接近10%的個(gè)位數(shù)。汽車、數(shù)據(jù)中心及工業(yè)端應(yīng)用將推動(dòng)更多芯片需求。

美光CEO Sanjay Mehrotra對(duì)近三年的增長(zhǎng)前景尤其有信心，他認(rèn)為到2025年為止，每年的NAND Flash閃存的需求量都將有接近30%的高增長(zhǎng)量。