2022年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模及結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析（圖）

中商情報(bào)網(wǎng)訊：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般指半導(dǎo)體集成存儲(chǔ)器。 用半導(dǎo)體集成電路工藝制成的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信息的固態(tài)電子器件。簡(jiǎn)稱半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。它由大量相同的存儲(chǔ)單元和輸入、輸出電路等構(gòu)成。

市場(chǎng)規(guī)模

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器作為電子系統(tǒng)的基本組成部分，是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最為廣泛的電子器件之一。隨著現(xiàn)代電子信息系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)出貨量持續(xù)大幅增長(zhǎng)，另一方面，由于存儲(chǔ)晶圓制程基本按照摩爾定律不斷取得突破，單位存儲(chǔ)成本在長(zhǎng)期曲線中呈現(xiàn)單邊下降趨勢(shì)，市場(chǎng)的總體規(guī)模在短期供需波動(dòng)中總體保持長(zhǎng)期增長(zhǎng)趨勢(shì)。市場(chǎng)規(guī)模2020年的1174.82億美元，同比增長(zhǎng)10.35%，預(yù)計(jì)2022年將增長(zhǎng)至1300億美元。

數(shù)據(jù)來(lái)源：WSTS 、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

市場(chǎng)結(jié)構(gòu)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)中，DRAM 和 NAND Flash 占據(jù)主導(dǎo)地位，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)中 DRAM 占比達(dá) 58%，NAND Flash 約占40%，此外 NOR Flash 占據(jù)約 1%的市場(chǎng)份額。

隨著電子產(chǎn)品對(duì)即時(shí)響應(yīng)速度和數(shù)據(jù)處理速度的要求不斷提高和 CPU 升級(jí)迭代，DRAM 器件的主流存儲(chǔ)容量亦持續(xù)擴(kuò)大。近年來(lái)隨著 NAND Flash 技術(shù)不斷發(fā)展，單位存儲(chǔ)成本的經(jīng)濟(jì)效益不斷優(yōu)化，應(yīng)用場(chǎng)景持續(xù)拓展，用戶需求不斷攀升。在長(zhǎng)期增長(zhǎng)的總體趨勢(shì)下，DRAM 和 NAND Flash 的短期市場(chǎng)規(guī)模與產(chǎn)品價(jià)格受到晶圓技術(shù)迭代與產(chǎn)能投放、下游終端市場(chǎng)需求、渠道市場(chǎng)備貨，以及全球貿(mào)易環(huán)境等多重因素影響，供求平衡較為敏感。

數(shù)據(jù)來(lái)源：IC Insights、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理