華潤微電子2大項(xiàng)目迎來新進(jìn)展，國產(chǎn)功率半導(dǎo)體好消息頻傳

12月29日，據(jù)華潤微電子官方公眾號(hào)消息，華潤微電子重慶12英寸晶圓制造生產(chǎn)線以及先進(jìn)功率封測(cè)基地實(shí)現(xiàn)通線。

公開資料顯示，華潤微電子重慶12英寸晶圓制造生產(chǎn)線項(xiàng)目總投資75.5億元，項(xiàng)目建成后預(yù)計(jì)將形成月產(chǎn)3-3.5萬片12英寸中高端功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)能力，并配套建設(shè)12英寸外延及薄片工藝能力。

據(jù)悉，從項(xiàng)目公司注冊(cè)成立，華潤微電子僅用18個(gè)月即實(shí)現(xiàn)包括中低壓溝槽SGT MOS、高壓超結(jié)SJ MOS在內(nèi)的四個(gè)產(chǎn)品平臺(tái)全部通線，該項(xiàng)目進(jìn)入產(chǎn)品投產(chǎn)流通與產(chǎn)能建設(shè)上量并行階段。

此外，華潤微電子先進(jìn)功率封測(cè)基地項(xiàng)目，是華潤微電子布局的中高端功率封裝項(xiàng)目，致力于打造聚焦于汽車電子和工控市場(chǎng)、國內(nèi)工藝全面、技術(shù)先進(jìn)、規(guī)模領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體專用封測(cè)工廠，包括模塊級(jí)、晶圓級(jí)、框架級(jí)、面板級(jí)多條封裝測(cè)試生產(chǎn)線。項(xiàng)目2021年11月正式開工；今年7月，先進(jìn)功率封測(cè)基地成功實(shí)現(xiàn)主體封頂；12月22日，首顆中低壓SGT功率器件PDFN 3.3產(chǎn)品順利產(chǎn)出，良率99.5%，各項(xiàng)指標(biāo)滿足產(chǎn)品規(guī)范，項(xiàng)目成功通線。

伴隨著華潤微旗下潤西微電子重慶12英寸車規(guī)級(jí)功率器件晶圓生產(chǎn)線和配套的車規(guī)級(jí)先進(jìn)功率半導(dǎo)體封測(cè)基地建成投產(chǎn)，華潤微車規(guī)級(jí)功率器件產(chǎn)業(yè)基地已初步成型，將持續(xù)支撐公司產(chǎn)品應(yīng)用升級(jí)，進(jìn)一步完善在車規(guī)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局。

除了華潤微電子外，士蘭微，斯達(dá)半導(dǎo)、安世半導(dǎo)體、東微半導(dǎo)體、新潔能等企業(yè)在高壓、低壓MOSFET和IGBT器件等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，產(chǎn)品在市場(chǎng)上嶄露頭角。

士蘭微方面，2022年10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線，首個(gè)SiC器件芯片已投片成功，目標(biāo)在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片生產(chǎn)能力。

斯達(dá)半導(dǎo)則在2022年公司基于第六代Trench Field Stop技術(shù)的車規(guī)級(jí)IGBT模塊獲得多個(gè)平臺(tái)/項(xiàng)目定點(diǎn)，對(duì)標(biāo)英飛凌的第七代FS-Trench型新一代車規(guī)級(jí)IGBT芯片也取得突破性進(jìn)展，進(jìn)一步鞏固其龍頭地位。

安世半導(dǎo)體方面，則不斷加強(qiáng)在中高壓Mosfet、化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品SiC和GaN產(chǎn)品布局，2022年5月，安世半導(dǎo)體已在奧地利薩爾茨堡與Kyocera AVX Components簽署了一項(xiàng)協(xié)議，生產(chǎn)氮化鎵（GaN）汽車功率模塊。該協(xié)議目標(biāo)是以新的封裝技術(shù)為基礎(chǔ)，共同開發(fā)用于電動(dòng)汽車的GaN應(yīng)用。

東微半導(dǎo)體方面，其TGBT產(chǎn)品經(jīng)過2021年下半年的小批量過程，2022年進(jìn)入高速增長階段，成為公司業(yè)務(wù)的新增長點(diǎn)。其推出高功率超級(jí)結(jié)產(chǎn)品，相繼研發(fā)了并聯(lián)SiC的IGBT及寬禁帶場(chǎng)效應(yīng)晶體，已有產(chǎn)品的工作電壓范圍已覆蓋600V-1350V，工作電流覆蓋至15A-160A。

新潔能則在2022年4月表示，公司的碳化硅產(chǎn)品1200V SiC MOSFET首次流片驗(yàn)證完成，產(chǎn)品部分性能達(dá)到國內(nèi)先進(jìn)水平。此外，其600V-1350V的溝槽型場(chǎng)截止IGBT、500V-900V的第三代超結(jié)功率 MOSFET、30V-300V的屏蔽柵功率MOSFET、12V-250V的溝槽型功率MOSFET均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)及系列化。