三菱電機(jī)將砸約51億元蓋新廠！增產(chǎn) SiC 功率半導(dǎo)體

因來(lái)自電動(dòng)車(chē)（EV）的需求旺，日本三菱電機(jī)（Mitsubishi Electric）將砸千億日?qǐng)A、蓋新廠，增產(chǎn)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體，對(duì)功率半導(dǎo)體事業(yè)的設(shè)備投資計(jì)劃將倍增。

三菱電機(jī)3月14日宣布，將增產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體，主因EV用需求旺，帶動(dòng)市場(chǎng)預(yù)估將呈現(xiàn)急速成長(zhǎng)。三菱電機(jī)將投資約1,000億日?qǐng)A，在熊本縣菊池市的現(xiàn)有工廠廠區(qū)內(nèi)興建新廠房，該座新廠將導(dǎo)入8吋SiC晶圓產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2026年4月啟用生產(chǎn)，三菱電機(jī)并將擴(kuò)增位于熊本縣合志市的工廠的6吋晶圓產(chǎn)能。

日媒指出，藉由上述增產(chǎn)投資，2026年度時(shí)，三菱電機(jī)SiC晶圓產(chǎn)能將擴(kuò)增至2022年度的約5倍水平。

三菱電機(jī)指出，包含上述投資計(jì)算，2021-2025年度的5年期間，該公司對(duì)功率半導(dǎo)體事業(yè)的設(shè)備投資計(jì)劃合計(jì)將達(dá)2,600億日?qǐng)A，投資規(guī)模將較原先計(jì)劃值（1,300億日?qǐng)A）倍增。

半導(dǎo)體制造工程可大致分為在硅晶圓上形成電路的「前段制程」和進(jìn)行組裝、封測(cè)等的「后段制程」，而三菱電機(jī)上述位于熊本縣的2座據(jù)點(diǎn)皆屬于「前段制程」據(jù)點(diǎn)。在「后段制程」部分，三菱電機(jī)計(jì)劃投資約100億日?qǐng)A在「Power Device Manufacturer（位于福岡市）」內(nèi)興建新廠房。

日媒報(bào)導(dǎo)，2021年三菱電機(jī)SiC功率半導(dǎo)體全球市占率排第6，在日廠中、僅次于位居第四位的Rohm。富士電機(jī)、東芝也擠進(jìn)全球前10大之列，龍頭廠為瑞士STMicroelectronics。