美國打壓中國存儲，韓企贏得時(shí)間，發(fā)布300層堆疊NAND芯片
眾所周知，中國存儲芯片廠商長江存儲，最全球第一家量產(chǎn)232層3D NAND閃存的廠商，其量產(chǎn)的時(shí)間早于美光、三星、SK海力士等。
而基于其232層3D NAND閃存制造的SSD，在性能上已經(jīng)超過了美光、三星、SK海力士的產(chǎn)品，可以說長江存儲，是國內(nèi)少有的在半導(dǎo)體領(lǐng)域上，超過美國的中國企業(yè)。
不過后來的故事，大家也清楚了，技術(shù)太先進(jìn)，把美國嚇住了，于是將長江存儲拉入了“實(shí)體清單”，對一些先進(jìn)設(shè)備進(jìn)行了限制。
事實(shí)上我們很清楚，長江存儲能夠?qū)崿F(xiàn)突破，一方面是自己的Xtacking（也稱之為“晶棧”）技術(shù)很牛，將讀、寫兩塊分開了，這屬于創(chuàng)新性的架構(gòu)。
另外一方面，還是依賴了美國的技術(shù)，比如美國的KLA Corp. ( KLAC ) 和泛林集團(tuán) ( Lam Research Co., LRCX ) 等，就為長江存儲的232層工藝提供了設(shè)備以及技術(shù)支持。
而一被列入“實(shí)體清單”后，先進(jìn)的設(shè)備無法購買，原本合作的美國廠商，也暫停了對已安裝設(shè)備的支持，暫停了新設(shè)備的安裝調(diào)試，還暫時(shí)撤出他們在駐廠的員工。
導(dǎo)致長江存儲新產(chǎn)品擴(kuò)產(chǎn)陷入了困境，產(chǎn)能一下子提升不起來。這會造成什么后果，當(dāng)然是錯(cuò)過通過技術(shù)搶占市場的窗口期，而這也是美國的目的。
因?yàn)槿绻袊鎯S商技術(shù)先進(jìn)，產(chǎn)能又不斷的提升，那還有美國廠商什么事？當(dāng)然是要打壓下來，然后讓中國廠商的產(chǎn)能無法提升，這樣無法占領(lǐng)市場，那么當(dāng)美國廠商技術(shù)上來了，就能夠占領(lǐng)了市場，那時(shí)候就無所謂了，美國打壓的就是這個(gè)窗口期。
果然，后續(xù)來了，近日韓國存儲廠商SK海力士第 70 屆 IEEE 國際固態(tài)電路會議 (ISSCC) 上，展示了最新300 層堆疊第8代 3D NAND Flash的原型。
這種存儲芯片，堆疊超過 300 層，容量為 1Tb（128GB），具有20Gb/mm2 單位容量，最大數(shù)據(jù)傳輸速率將達(dá)到 194 MB/s，比上一代高出18%。
而存儲密度提升一倍，就意味著成本要大幅度降低，這種芯片一推出，明顯會比長江存儲232層 3D NAND更有競爭力。
而美光也表示，很快要推出300層以上堆疊的3D NAND閃存芯片，時(shí)間預(yù)計(jì)在今年年底，或明年上半年，至于大規(guī)模推出市場，可能會在2024年下半年去了。
很明顯，美國打壓中國存儲芯片的目的，部分實(shí)現(xiàn)了，就是想讓我們就算研發(fā)出新技術(shù)，也要錯(cuò)過這個(gè)領(lǐng)先的窗口期，從而無法提升市場規(guī)模，最終高端市場就還是美系廠商或美國盟友的。
