芯片工藝14納米實現國產化，7納米量產也就快了
某國產手機芯片企業表示它已搞定14納米以上的EDA工具全國產化，純國產芯片變成現實，如此也就說明國產的28納米光刻機已投入生產線，28納米光刻機對于國產7納米具有獨特的意義，實現7納米的國產化有了希望。
國產28納米光刻機其實早在2021年就已通過技術驗證，隨后開始進一步完善，不過由于眾所周知的原因，28納米光刻機投入生產采取了低調的態度，直至如今傳出14納米芯片的量產，證明28納米光刻機已投入生產線。
28納米光刻機其實同樣可以用于14納米工藝生產，通過雙重曝光技術就可以實現7納米工藝的量產，當年臺積電都采用過類似的技術，直到ASML推出14納米光刻機才將14納米轉用14納米光刻機，降低成本、提高效率；后來臺積電同樣以14納米光刻機實現了7納米工藝的量產，再進一步引入EUV光刻機量產7納米EUV工藝。
28納米光刻機對于先進光刻機來說是一個重要門檻，在28納米以上的工藝主要采用干式光刻機，而28納米之后采用Arf浸潤式光刻機，此后一直到7納米工藝都在采用Arf浸潤式光刻機，這就意味著28納米到7納米光刻機的技術是相通的，國產光刻機實現了28納米Arf浸潤式光刻機就代表著國產光刻機達到了一個新的高度，7納米光刻機量產的時間也就快了。
國產光刻機的發展補上了國產芯片制造技術的最后短板，此前芯片制造的八大環節都已達到14納米，刻蝕機更是達到5納米，另外光刻膠也已達到5納米，可以說芯片制造的諸多環節都已為14納米國產化做好了準備，隨著28納米光刻機投入生產線，完全國產化的14納米工藝也就成為現實。
受制于美國的芯片規則，美國從光刻機到光刻膠等芯片設備和材料限制中國芯片制造的發展，導致國產芯片制造不受限制的芯片制造工藝停留在28納米，考慮到這個現實，國產芯片制造一直在力推28納米工藝。
國內最大的芯片制造企業中芯國際大舉推進的芯片制造工藝就是28納米，它當前在建的四座芯片工廠都是28納米工藝，28納米工藝已能滿足國內七成的芯片需求，而且28納米具有成本低的優勢，而國產芯片自給率才達到四成，28納米工藝產能的擴張為國產芯片實現2025年七成的自給率提供了支持。
不過國產芯片仍然需要更先進的工藝，畢竟手機芯片、PC芯片等都需要先進工藝提供更強的性能、更低的功耗，不過美國卻從去年下半年開始不斷加強對中國的光刻機供應限制，限制ASML對中國出售14納米光刻機，先進芯片制造工藝就成為中國芯片努力打破的瓶頸。
如今國產28納米光刻機的投產，代表著國產光刻機產業鏈的進一步完善，中國也將成為全球的光刻機產業鏈最完善的國家，ASML是全球實力最強的光刻機企業，然而ASML所在的荷蘭僅能提供光刻機15%的配件，光刻機其他八成多的配件需要全球30多個國家、5000多家企業供應，而中國卻能靠自己一己之力打造了較為完善的光刻機產業鏈，可見這幾年國產芯片的突飛猛進。
美國這幾年的做法促進了中國芯片行業的大發展，美國限制供應存儲芯片、射頻芯片、GPU芯片等，中國短短3年時間就打破了這些芯片的空白；美國限制芯片設備的供應，中國芯片設備行業就在數年時間完善了自己的芯片產業鏈，可以說美國的做法逼出了中國科技的潛力，加速了中國科技的發展，進而形成中國的技術體系，這出乎美國的意料。
