三星第一代 3nm 制程 SF3介紹：較4nm FinFET平臺實現22％頻率提升
5 月 8 日消息，2023 國際超大規模集成電路技術研討會將于 6 月 11 日至 16 日在日本京都舉行。官方現提前透露了一些將會在此次頂會上揭曉的內容。
除了技術演示外，VLSI 研討會還將包括演示會議、聯合焦點會議、晚間小組討論、短期課程、研討會和特別論壇。屆時還會有一些科技前沿的 CMOS 技術重點論文，例如“全球首個采用新型 MBCFET 技術的 GAA 3nm 工藝（SF3）”。
三星 3nm 技術之所以如此備受期待，是因為它實現從 FinFET 到 Gate-All-Around 晶體管架構的轉變。據稱，SF3 相較 4nm FinFET 平臺實現了 22% 頻率提升、34% 能效改進、21% 面積微縮（PPA） 。
三星 SF3 技術是業界首款量產 GAA 工藝的升級版，采用多橋通道 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET）設計，可以為各種納米片寬度提供相當不錯的性能，在固定的標準單元高度下顯著提高了芯片級的功耗性能矩陣，從而超越 FinFET 平臺。
根據韓國媒體的說法，三星 2023-2024 年將以 3nm 生產為主，即 SF3 (3GAP) 及其改進版本 SF3P (3GAP+)，其生產良率初期可維持在 60-70% 的范圍內，而且該公司還計劃于 2025-2026 年開始推出其 2 納米級別節點。
在三星與臺積電都進入 3nm 制程的時代之后，未來 3nm 制程將會成為晶圓代工市場的主流。因此，預計到 2025 年之際，3nm 制程市場的產值將會高達 255 億美元（IT之家備注：當前約 1762.05 億元人民幣），超越 5nm 時預估的 193 億美元產值。
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市場調查機構 TrendForce 的數據顯示，2022 年第三季，在全球晶圓代工市場中，臺積電仍以 53.4% 市場份額穩居第一，排名第二的三星市場份額僅 16.4%。所以，在市場激烈的競爭下，也使得 3nm 制程將成為未來兩家公司主要競爭的關鍵。
