發力新型存儲，韓國想再贏一次？

韓國存儲芯片數據下滑

韓國統計廳周四公布的數據顯示：去年11月芯片產量同比下降15%，連續第四個月萎縮，并創下自2009年以來最大降幅。

韓國科學技術信息通信部表示：韓國今年4月存儲芯片出口減幅（54.1%）大于系統芯片（22.1%）。

韓企數據研究機構CEO SCORE調查顯示：隨韓貨出口主力芯片遇冷，韓國各大企業營業利潤同比減少48.8%，為25.8985萬億韓元，從去年第三季度起連續三個季度下滑。

2023年第一季度，韓國對中國的出口比去年同期下降了近30%，對越南和日本的出口也分別減少了25.2%和10.1%。

芯片出口暴降讓三星等廠商非常難受，因為存儲芯片需求在下滑，疊加國產存儲強大的價格戰。

韓國企業五年芯片投資計劃

今年5月，韓國發布了芯片發展十年藍圖，旨在日益激烈的全球競爭中鞏固該國在半導體領域的領先地位。

韓國科學技術信息通信部在這一半導體未來技術路線圖中，提出未來10年確保在半導體存儲器和晶圓代工方面實現超級差距，在系統半導體領域拉開新差距的目標。

科技部承諾支持半導體行業生產更快、更節能、更大容量的芯片，以保持其在已經領先領域（如存儲芯片）的全球主導地位，并在先進邏輯芯片方面獲得競爭優勢。

這次的規劃路線圖是對韓國政府4月宣布的芯片戰略的細化。

當時，政府表示將投資5635億韓元（4.25億美元）用于芯片產業的研發，以支持該領域的人才培養、基礎設施建設和技術開發。

該路線圖也是近期與美國、日本在芯片、顯示器和電池領域達成的合作協議的[后續措施]。

政府將根據路線圖，對未來的半導體技術政策和商業方向進行戰略性的研究。

雖然芯片行業已經達到了一定的成熟度，但韓國科技部預測市場規模將在未來十年翻一倍。

三星電子宣布巨額投資計劃：未來五年將在芯片、生物科技等領域投資450萬億韓元，其中80%的資金將用于韓國本土的技術研發和人才培養。

SK集團表示，未來五年內計劃將投資總額的一半投入芯片產業，投資規模約142.2萬億韓元。

在存儲領域繼續進擊，發力新型存儲

總之，在傳統存儲領域，存儲廠商們還需要不斷在創新材料、工藝、結構和產品來挑戰DRAM和NAND技術的擴展限制，才能繼續維持住其在存儲領域的領先地位。

三星和SK海力士作為韓國的兩大關鍵性支柱，都投入了大量資金來研究RRAM、PCM、MRAM等新型的內存技術。

三星電子準備開發世界上第一個 3D DRAM，并正在加速 3D DRAM 的研發。

去年11月，三星宣布一開始量產其大概為236層的3D NAND存儲器，這是其第八代V-NAND。

在ISSCC 2023的會議上，提交了一篇論文，展示了他們開發出300層以上的3D NAND技術，可以以194GBps的速度讀取數據。

為了進一步擴展DRAM，從而降低成本和功耗，并提高速度，單片3D DRAM技術成為存儲巨頭們正在探索的技術。

在新型存儲領域，三星正在追逐MRAM。

三星正在研發有關28納米嵌入式磁性隨機存取存儲器 (MRAM) 技術的信息。

該器件的寫入能量僅為 25 pJ/bit，有效功率要求為 14mW（讀取）和 27mW（寫入），數據速率為54MB/s。

將MTJ縮小到 14 納米 FinFET 節點后，面積縮小提高了 33%，讀取時間加快了2.6倍。

三星正在將 MRAM 視為 AI 和其他需要大量數據的應用程序的低泄漏工作存儲器。

三星聲稱開發的這個產品是有史以來最小、最節能的非易失性隨機存取存儲器。

通過將MRAM引入內存計算領域，這項工作擴展了下一代低功耗人工智能芯片技術的前沿。

而SK海力士則青睞于鐵電存儲器（FeRAM）和相變存儲器（PCM），正在通過探索堆疊高度縮放、新材料和新的3D NAND單元架構來。

他們已經成功展示了16級基于RRAM的突觸單元平臺，這些平臺具有良好的設置/重置特性，并能嵌入到 CMOS 技術中。

結尾：

盡管時不時有半導體產能過剩的聲音，但行業內具指標性的原廠在擴大投資的方向依舊一路狂奔，尤其韓國。

三星、SK海力士等韓企持續加大投資很重要的一方面是為了鞏固其在芯片領域的領導地位。