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        HBM4爭奪戰(zhàn)正式開啟

        2023-10-20 來源:Ai芯天下
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        關(guān)鍵詞: GPU 英偉達(dá) 臺積電

        成為AI服務(wù)器標(biāo)配,趨勢和需求已明確


        HBM的作用類似于數(shù)據(jù)的[中轉(zhuǎn)站],就是將使用的每一幀,每一幅圖像等圖像數(shù)據(jù)保存到幀緩存區(qū)中,等待GPU調(diào)用。 


        HBM促使DRAM從傳統(tǒng)2D加速走向立體3D,充分利用空間,契合行業(yè)小型化、集成化的發(fā)展趨勢。 


        AIGC技術(shù)應(yīng)用呈現(xiàn)爆發(fā)式增長,大模型處理數(shù)據(jù)的吞吐量更是呈指數(shù)級增長。 


        ChatGPT已成為史上最快達(dá)到1億月活躍用戶的應(yīng)用,預(yù)計(jì)至2025年生成式AI所創(chuàng)造的數(shù)據(jù)可占到已生產(chǎn)數(shù)據(jù)的10%。 


        近期英偉達(dá)發(fā)布最新一代GH200 Grace Hopper,搭載了全球第一款HBM3e,達(dá)到141GB,將不再配備今年春季版本的96GB HBM3。 


        HBM價(jià)值量的顯著提升也可以體現(xiàn)出當(dāng)前對存力需求的迫切。 


        未來3年的超算算力需求提升將超過10倍,萬億級別的參數(shù)量使HBM(高帶寬內(nèi)存)成為AI服務(wù)器的標(biāo)配。 


        此外,HBM的高帶寬相當(dāng)于把漏斗中間的通道打得更開,讓數(shù)據(jù)可以快速流通,面對AI大模型這種動不動千億、萬億的參數(shù),服務(wù)器中負(fù)責(zé)計(jì)算的GPU幾乎必須搭載HBM。



        翻倍增長勢態(tài)良好,HBM4是未來共同方向


        從HBM的發(fā)展趨勢來看,其芯片密度更大,堆疊層數(shù)更多,進(jìn)而帶來容量、帶寬以及連接速率翻倍增長的良好態(tài)勢。 


        據(jù)集邦咨詢預(yù)測,2023年HBM需求將同比增長58%,2024年可能進(jìn)一步增長約30%,未來這個市場規(guī)模將達(dá)到數(shù)十億美元。 


        2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3,需求比重分別預(yù)估約是50%及39%。 


        隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量,2024年市場需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3,而2024年將直接超越HBM2e,比重預(yù)估達(dá)60%。 


        全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)測,2023年HBM需求量將年增58%,2024年有望再成長約30%。 


        雖然目前還沒有關(guān)于HBM4的正式規(guī)范,但臺積電在2023 OIP論壇阿姆斯特丹廠上給出了部分制定中的標(biāo)準(zhǔn)。 


        臺積電稱,未來HBM4內(nèi)存的接口位寬將實(shí)現(xiàn)翻倍,達(dá)到2048 bit。 


        按照計(jì)劃,這將使HBM4在多種技術(shù)層面上實(shí)現(xiàn)重大飛躍。


         

        為數(shù)不多的看好,大廠積極推動HBM技術(shù)迭代


        ·SK海力士:今年5月,SK海力士帶來第五代HBM 3e,預(yù)計(jì)今年年底前供應(yīng)樣品,2024年量產(chǎn),下一代產(chǎn)品HBM4生產(chǎn)時(shí)間定在2026年。 


        該廠商將把下一代后處理技術(shù)[混合鍵合]應(yīng)用于HBM4產(chǎn)品。 


        與現(xiàn)有的[非導(dǎo)電膜]工藝相比,它提高了散熱效率并減少了布線長度,從而實(shí)現(xiàn)了更高的輸入/輸出密度。 

        三星:為了掌握快速成長的HBM市場,將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù),預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)新一代HBM產(chǎn)品HBM4。

         

        預(yù)計(jì)2024年接口速度可以提高到7.2Gbps的HBM3p,傳輸速率再提升10%,從而將總帶寬提升到5TB/s以上。 


        已開發(fā)出9.8Gbps的HBM3E,計(jì)劃開始向客戶提供樣品。同時(shí),三星正在開發(fā)HBM4,目標(biāo)2025年供貨。 


        并已關(guān)注存內(nèi)計(jì)算HBM-PIM,在HBM內(nèi)存中直接集成計(jì)算單元,HBM3-PIM預(yù)計(jì)在2024年完成開發(fā)。 


        目前正開發(fā)針對高溫?zé)崽匦詢?yōu)化的非導(dǎo)電粘合膜(NCF)組裝技與混合鍵合(HCB)等技術(shù),以應(yīng)用于HBM4產(chǎn)品。 


        美光最新的HBM3 Gen 2內(nèi)存正在向客戶提供樣品,具有1.2 TB/s的聚合帶寬和最高容量的8高堆棧24GB容量,采用1β工藝制造。 


        美光在今年5月宣布,已經(jīng)開始研發(fā)第四代HBM,并且計(jì)劃在2024年下半年開始量產(chǎn)。 


        其HBM4可以支持16個存儲堆棧,每個堆棧有4096位的接口,數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)12Gbps,從而實(shí)現(xiàn)3TB/s的總帶寬。



        結(jié)尾: 


        盡管各大廠商都在努力擴(kuò)大HBM的產(chǎn)能,但根據(jù)預(yù)期的供需情況,供應(yīng)量的增長速度相對需求的增長略顯緩慢。 


        據(jù)相關(guān)研究機(jī)構(gòu)的評估,2023年和2024年的HBM供需比分別為-13%和-15%。這表明,在未來近兩年的時(shí)間里,HBM市場可能仍將處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。 



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