美國給三星、SK海力士、臺積電開“后門”，意在打壓中國芯

去年10月份，美國對中國芯開出了史上最嚴(yán)禁令，意圖鎖死我們的邏輯芯片制造能力在14nm，DRAM制造能力在18nm，NAND閃存在128層。

但后來，事情脫離了美國的掌控，長存全球首家量產(chǎn)了232層NAND閃存，華為有了麒麟9000S……

于是一年后的今年10月份，美國針對中國芯的禁令，再次升級，這次將眾多的AI芯片禁售，又拉黑了眾多中國芯片企業(yè)，還將半導(dǎo)體設(shè)備的封鎖，再一次升級。

特別是針對光刻機(jī)方面，將DCO值從去年的小于1.5，調(diào)整為小于2.4。于是原來可以銷售的浸潤式光刻機(jī)NXT:1980Di，因?yàn)镈CO值是1.6，現(xiàn)在也無法銷售了。

我們知道浸潤式光刻機(jī)，經(jīng)過多重曝光之后，可以最小支持7nm芯片，美國就是擔(dān)心這一點(diǎn)，所以干脆將浸潤式光刻機(jī)全禁了。

不過，美國對三家公司例外，那就是三星、SK海力士、臺積電，這三家企業(yè)建立在中國大陸的工廠，不受禁令限制，想買什么就買什么，什么高端的設(shè)備，都可以買到。

其中三星、SK海力士無限豁免，在目前規(guī)則之下，可以一直采購任何設(shè)備。而臺積電暫時(shí)只有一年豁免期，即到前年10月份之前，可以隨便買，明年10月份之后怎么辦，暫時(shí)還不清楚，也許會繼續(xù)豁免，誰知道呢。

美國為何對這三家企業(yè)豁免呢，其實(shí)很簡單，那就是希望這三家企業(yè)，在中國大陸境內(nèi)，充當(dāng)美國的打手，打壓中國芯。

三星、SK海力士在中國主要生產(chǎn)DRAM內(nèi)存、NAND閃存，并且產(chǎn)量非常大。

目前中國本土企業(yè)的DRAM 、NAND生產(chǎn)受打擊，高端的很難生產(chǎn)，產(chǎn)能不夠，設(shè)備受限，發(fā)展也受限。而三星、SK海力士隨便擴(kuò)產(chǎn)，隨便買設(shè)備，讓他們快速發(fā)展，那么自然就會擠壓中國本土企業(yè)的生存空間和市場，就達(dá)到了美國打壓的目的。

而在芯片制造這一塊的邏輯也是如此。針對浸潤式光刻機(jī)都進(jìn)行封鎖之后，那么我們在缺少浸潤式光刻機(jī)、EUV光刻機(jī)的情況之下，14nm工藝可能就是一個(gè)坎了。

然后臺積電可以隨便擴(kuò)產(chǎn)，隨便購買設(shè)備，提高工藝，那么同樣也將擠壓中國本土芯片制造企業(yè)的生存空間，同樣也就達(dá)到了美國的目的。

可見，要想真正突破，再也不怕美國卡脖子，最終還是要走一條獨(dú)立自主的道路出來，實(shí)現(xiàn)供鏈的自主化，只要依賴國外的設(shè)備，就有可能被美國各種拿捏，你覺得呢？