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        華為麒麟9000S芯片,是14nm工藝,7nm的水平,5nm性能?

        2023-11-20 來源:科技專家
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        關鍵詞: 半導體 華為 芯片

        近日,在中國半導體行業協會集成電路設計分會上,魏少軍的一張PPT,引發了大家關于華為那顆神秘麒麟9000S芯片的猜測。


        如下圖所示,PPT中提到 “能夠用14nm,甚至28nm做成7nm的產品性能才是真正的高手”,并拿Mate60來作例子。



        很多人基于這張圖,認為這可能就是披露了華為麒麟9000S的工藝了,那就是14nm工藝,實際做出了7nm的水平。


        那么這個說法究竟靠不靠譜呢?事實上,仔細分析下來,還是有一定道理的。


        一方面是,大家都清楚,目前中國大陸公開的工藝就是14nm,而在14nm之后,并沒有再公開了,甚至在今年連14nm工藝的介紹都下線了。


        很多人認為,在美國的制裁和打壓之下,實際上實現14nm都困難了,真要推進到7nm,其實是不太可能的。



        二是在14nm之后,所謂的芯片工藝,并不是真的制程工藝,都是等效法。


        因為在14nm之后,并沒有所謂的14nm、7nm、5nm、3nm這些標準的指標,而是比上一代性能提升,或晶體管密度增加等,就認為工藝提升了。


        大家判斷麒麟9000S是7nm,也是因為其晶體管密度與臺積電的7nm差不多,所以認為它是7nm。


        但大家都清楚,英特爾的10nm,其晶體管密度比臺積電7nm還要高,可見晶體管密度,并不是工藝的唯一標準。



        事實上,對于華為這顆芯片到底是多少工藝,大家真不必在乎,我們關注的其實還是性能,在性能測試上,它顆芯片其實不只是7nm的水平,實際是5nm的芯片,因為能對標高通驍龍888芯片。


        說真的,不管用什么工藝,如果能夠達到5nm的水平,我們就可以認為它是5nm芯片,性能達到了,這就夠了,關注工藝,其實并沒有什么用。


        以后隨著3D封裝,堆疊等技術的使用,以及在當前外部形勢之下,利用相對落后的工藝,制造出先進芯片的性能,才是中國芯要努力的方向,你覺得呢?



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