報告稱中韓 NAND 技術(shù)差距縮短至 2 年

11 月 23 日消息，根據(jù)韓媒 Business Korea 報道，市場內(nèi)部人士透露，隨著中國大陸加大對存儲器產(chǎn)業(yè)的支持力度，過去幾年已經(jīng)有了長足的進(jìn)步，在 NAND 閃存方面，和三星、SK 海力士等全球領(lǐng)先企業(yè)的技術(shù)差距縮短到 2 年。

該業(yè)內(nèi)人士指出：“雖然 DRAM 依然保持 5 年以上的技術(shù)差距，不過由于 NAND 技術(shù)壁壘較低，中國企業(yè)在大力扶持下快速追趕，不斷縮小差距。中國企業(yè)的 NAND 產(chǎn)品雖然在市場競爭力上還存在不足，但顯然加快了追趕速度”。

報道中特別提及了長江存儲，該公司在 2022 年閃存峰會（FMS）上，正式發(fā)布了基于晶棧 3.0（Xtacking 3.0）架構(gòu)的第四代 3D TLC NAND 閃存芯片，名為 X3-9070。

長江存儲宣布從 176 層到 232 層量產(chǎn)之后，遭到了外界的諸多質(zhì)疑，不過該公司用了不到 1 年的時間，成功量產(chǎn) X3-9070。

除了用于致態(tài) TiPlus7100 系列 SSD，還被用在?？低暤?CC700 2TB SSD 上，這是首個進(jìn)入零售市場的 200 + 層 3D NAND 閃存解決方案，領(lǐng)先于三星、美光、SK 海力士等廠商。

報道中還指出，隨著半導(dǎo)體電路的小型化接近極限，中國企業(yè)正抓住先進(jìn)封裝（Efficient packaging）這個機(jī)會，進(jìn)一步縮小技術(shù)差距。

在半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)，先進(jìn)封裝主要封裝多個芯片，從而提高性能，被認(rèn)為是克服挑戰(zhàn)的關(guān)鍵。

中國大陸在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域占有第二大市場份額，IT之家援引市場研究公司 IDC 的數(shù)據(jù)，去年長電科技、通富微電和華天科技三家公司進(jìn)入全球前 10 大半導(dǎo)體封裝（OSAT）公司，而韓國沒有一間公司出現(xiàn)在榜單上。