DRAM補漲正式啟動 三星、美光1Q24漲幅上看20%
記憶體模組業者傳出，DRAM原廠已發出預告第1季將調漲15~20%。李建樑攝（資料照）
繼NAND Flash從2023年下半一路強勢拉漲報價后，記憶體模組業者傳出，三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）等記憶體大廠，正規劃第1季DRAM價格調漲15~20%。
相較于2023年第4季DRAM價格相對持穩，業界研判，上游原廠漲價焦點將從NAND轉移至DRAM，如DDR4、DDR5成下一波調漲重點，以加速改善營運虧損。
儘管市場需求尚未恢復穩定，但記憶體業界人士透露，近期收到三星提出預告，第1季DRAM報價至少將調漲15%起跳，至于NAND漲幅雖然沒有明確提出，但預料仍將繼續調漲，記憶體價格漲勢將延續至2024年底。
此外，另有記憶體模組業者向客戶提出通知，2024年第1季預期三星、美光將相繼調漲DRAM報價約15~20%，由于12月DRAM報價僅微幅調漲2~3%，明顯低于3D TLC NAND漲幅約10%的表現。
隨著手機、伺服器需求逐漸回升，預計2024年DRAM市場供應將持續緊張，從1月起將調漲DRAM新報價，藉此催促客戶須提前規劃未來使用需求量。
業界認為，邁入2024年后，DRAM漲勢風雨欲來，先前DDR4庫存偏高，市場價格呈現疲弱，為了縮減營運虧損，預料2024年上半將鎖定DDR4及DDR5成為漲價主力，至于DDR3產能及需求相對穩定，漲幅相對平緩。
雖然上游原廠從第1季啟動DRAM補漲行情，記憶體模組業者認為并不意外，DRAM報價調漲動能主要仍來自于上游原廠的人為操作，且內部先前預判即將迎來單季漲幅約15~20%，近月來已陸續回補低價庫存。
預計這波DRAM漲價由三星率先發動攻勢，操作玩法幾乎與2023年第3季NAND調漲相似，但未來DRAM漲幅能否如同NAND Wafer強勁攀升，需觀察農曆年后的市場需求表現。
韓系DRAM大廠在2023年下半已連續2個季度降低DRAM稼動率，但第4季晶圓產出進入谷底，以三星為例，第4季DRAM產出僅約2023年第1季的7成左右，同時也逐步增加高階制程的產出。
據了解，2024年第1季DRAM整體產能供應仍然節制謹慎，未來供應商將會持續減產成熟制程，并轉向先進制程技術。
三大DRAM廠過去DDR4採用1X或1Y奈米制程，在2023年進入產品結束週期（EOL），三星及SK海力士（SK Hynix）將8Gb及16Gb產品改以1Z奈米節點為生產主力。
美光的成熟制程生產也進入尾聲，DDR4全面推向至1α奈米制程，至于各家的DDR5 16Gb也將從1α轉向至1β奈米的先進制程。
受到淡季及工廠盤點等影響，供應鏈需求釋出量減少，業界指出，無論是DRAM或是NAND，2023年第4季上游供貨狀況并不緊缺，但前提是要能夠接受原廠提出的價格，只要價格對了，原廠都有貨可以賣。
顯見市場實質買氣并未復甦，短期內交易需求較為平淡，預料第1季上半及農曆新年前，終端市場仍存在觀望氣氛，第1~2季將是關鍵，若主要應用出?？谛枨箜樌暯?，記憶體榮景將確定大好，產業供不應求將無懸念。
業界預期，隨著上游原廠醞釀2024年第1季調漲DRAM報價，多家記憶體模組業者各自收到風聲啟動備貨，預計供貨給OEM廠的合約價可望延后一個季度跟進，預計從第2季起將全面反映DRAM漲勢。
