6臺(tái)光刻機(jī)即將交付，美國(guó)扶持Intel的目的暴露，臺(tái)積電后悔莫及

外媒報(bào)道指ASML今年量產(chǎn)的10臺(tái)2納米光刻機(jī)將有6臺(tái)優(yōu)先交付給Intel，這意味著臺(tái)積電和三星將只能爭(zhēng)奪剩下的4臺(tái)，并且這4臺(tái)光刻機(jī)的量產(chǎn)時(shí)間也較晚，將導(dǎo)致它們?cè)?納米工藝研發(fā)方面落后于Intel。

今天了曾長(zhǎng)達(dá)20多年引領(lǐng)全球芯片制造工藝，也正是由于它擁有先進(jìn)的工藝，導(dǎo)致AMD在PC處理器市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中落敗，而始終難以真正實(shí)現(xiàn)對(duì)Intel的超越。

不過自從2014年量產(chǎn)14納米之后，Intel的創(chuàng)新步伐就開始放緩，10納米工藝延遲了3年時(shí)間，7納米工藝也延遲了2年時(shí)間，而臺(tái)積電、三星則保持了1-2年量產(chǎn)一代先進(jìn)工藝，到如今臺(tái)積電和三星已量產(chǎn)了3納米工藝，Intel的最先進(jìn)工藝則停留在7納米。

先進(jìn)工藝發(fā)展到3納米已面臨新的瓶頸，三星激進(jìn)采用GAA技術(shù)導(dǎo)致芯片工藝良率低至兩成以下，臺(tái)積電保守一些采用了原來的FinFET技術(shù)，但是良率也只有55%左右，但是卻導(dǎo)致生產(chǎn)的A17處理器性能僅提升一成還存在功耗過高的問題。

導(dǎo)致3納米工藝存在弊病，一方面在于先進(jìn)工藝逐漸接近1納米的極限，另一方面則是現(xiàn)有的第一代EUV光刻機(jī)并不適合生產(chǎn)3納米工藝，如此情況下，Intel、臺(tái)積電和三星都開始爭(zhēng)奪ASML第二代EUV光刻機(jī)，也就是2納米光刻機(jī)。

ASML雖然是全球最大的光刻機(jī)制造企業(yè)，并且也是唯一可以生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的企業(yè)，不過EUV光刻技術(shù)卻是來自美國(guó)，當(dāng)初美國(guó)成立EUV聯(lián)盟研發(fā)成功EUV光刻技術(shù)，繞開了日本的光刻機(jī)企業(yè)，而將該項(xiàng)技術(shù)交給ASML，由此ASML徹底奠定光刻機(jī)老大的地位。

如此情況下，ASML就必須聽從美國(guó)的要求，而如今ASML即將量產(chǎn)2納米光刻機(jī)，卻將其中的六成優(yōu)先交給Intel，中間有沒有美國(guó)的影響不言自明，這也說明了美國(guó)還是更相信自己的本土企業(yè)，對(duì)三星和臺(tái)積電不放心。

對(duì)比之下，此前三星和臺(tái)積電可以說是對(duì)美國(guó)掏心掏肺，美國(guó)要求上交機(jī)密數(shù)據(jù)，他們交了；美國(guó)要求他們赴美設(shè)廠，他們也做了，然而他們言聽計(jì)從的結(jié)果卻是后來美國(guó)屢屢違背承諾。

美國(guó)承諾只要臺(tái)積電和三星赴美設(shè)廠，那么就給予豐厚的芯片補(bǔ)貼，然而在臺(tái)積電和三星正式赴美設(shè)廠后，美國(guó)卻分別只給予10%、13%的芯片補(bǔ)貼，隨后提出的芯片細(xì)則又要求它們共享芯片技術(shù)并分享利潤(rùn)，核心技術(shù)可是企業(yè)的命根子，如此也就是變相要求臺(tái)積電和三星舍棄這部分有限的芯片補(bǔ)貼。

到如今美國(guó)在2納米光刻機(jī)上作梗，而Intel則優(yōu)先得到最多的2納米光刻機(jī)，一切都顯示出美國(guó)的心思就是扶持Intel再度取得芯片制造技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，只有作為美國(guó)本土企業(yè)的Intel才能讓美國(guó)放心，這是有先例的，當(dāng)年通用電氣和阿爾斯通在電氣市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)失敗，阿爾斯通隨即發(fā)生了諸多事情，最終阿爾斯通不得不低價(jià)將電氣業(yè)務(wù)賣給通用。

臺(tái)積電此刻恐怕感嘆，“我本將心照明月,無奈明月照溝渠”，在3納米工藝上已受挫，如果再在2納米工藝研發(fā)方面落后，那么他的輝煌或許將就此終結(jié)，因?yàn)镮ntel不僅要重奪先進(jìn)工藝，還大舉搶占芯片代工市場(chǎng)，Intel已首次躋身全球芯片代工TOP10，搶走了臺(tái)積電的部分訂單，Intel未來或許會(huì)成為臺(tái)積電的巨大威脅。