英特爾與聯(lián)電宣布12nm制程工藝合作

當?shù)貢r間1月25日，英特爾(Intel)與聯(lián)華電子(UMC)宣布，將合作開發(fā)12nm半導體工藝平臺，以滿足移動、通信基礎設施和網(wǎng)絡等高增長市場的需求。這項長期協(xié)議將英特爾在美國的大規(guī)模制造能力和聯(lián)電在成熟節(jié)點上豐富的代工經(jīng)驗結合在一起，以實現(xiàn)擴大的工藝組合。還為全球客戶在采購決策方面提供了更多的選擇，并獲得了地理上更加多元化和彈性的供應鏈。

英特爾高級副總裁兼英特爾代工服務部(IFS)總經(jīng)理Stuart Pann表示，此次戰(zhàn)略合作進一步表明了英特爾致力于在全球半導體供應鏈中提供技術和制造創(chuàng)新，助力實現(xiàn)英特爾到2030年成為全球第二大代工廠的目標。

據(jù)悉，12nm節(jié)點將利用英特爾在美國的大批量生產能力和FinFET晶體管設計經(jīng)驗，提供成熟、性能和功率效率的強大組合。該產品將受益于聯(lián)華電子數(shù)十年的工藝領導和為客戶提供工藝設計套件(PDK)和設計協(xié)助的歷史，以有效地提供鑄造服務。新的工藝節(jié)點將在英特爾位于亞利桑那州的Ocotillo技術制造基地的12、22和32號晶圓廠進行開發(fā)和制造。利用這些晶圓廠中的現(xiàn)有設備將大大減少前期投資需求并優(yōu)化利用率。