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        為擴大碳化硅供應量,英飛凌與昭和電工達成合作

        2021-05-12 來源:中電網
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        英飛凌今日宣布,為提高碳化硅(SiC)的供應安全,已和日本晶圓制造商昭和電工簽訂供應合約,供應包括磊晶在內的各種碳化硅材料,英飛凌因此可獲得更多基材,以滿足對SiC 型產品日益漸增的需求。

        英飛凌工業電源控制事業部總裁Peter Wawer 表示,SiC 半導體市場預計在未來五年內的年成長率可達30%-40%,與昭和電工合作擴大英飛凌的晶圓供應商基礎,是在此一持續成長市場中多源策略重要的一步,將穩固地支援達成中長期的目標。此外,英飛凌也計劃在策略開發材料方面與昭和電工合作,以提升品質并降低成本。

        SiC 可提供高效率與強固的功率半導體,特別專注于光電、工業電源供應器和電動車充電基礎設備等領域;英飛凌擁有業界最大用于工業應用的SiC 半導體產品組合,而英飛凌與昭和電工之間簽訂兩年期的合約,且可續約。

        昭和電工資深執行董事Jiro Ishikawa 則表示,很高興能夠為英飛凌提供同級最佳的SiC 材料及最先進的磊晶技術;未來目標是持續改進SiC 材料的品質并開發新一代技術。



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