中國(guó)芯片加速5納米量產(chǎn)，以現(xiàn)有設(shè)備實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝的突破
據(jù)了解北京一家企業(yè)正在研發(fā)一種利用現(xiàn)有光刻機(jī)生產(chǎn)5納米工藝的技術(shù)，預(yù)計(jì)很快就能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，該工藝的核心技術(shù)是自對(duì)準(zhǔn)四重圖案化（SAQP）技術(shù)，類(lèi)似技術(shù)曾被臺(tái)積電用于7納米，Intel也曾試圖利用該項(xiàng)技術(shù)。
Intel是最早考慮多重曝光技術(shù)的，2014年它就已量產(chǎn)14納米工藝，2016年ASML還沒(méi)量產(chǎn)EUV光刻機(jī)，Intel就試圖利用DUV光刻機(jī)輔以多重曝光技術(shù)，提升晶體管密度，研發(fā)自己的10納米工藝，結(jié)果Intel玩砸了，EUV光刻機(jī)量產(chǎn)后，Intel都未量產(chǎn)10納米，又推倒重來(lái)采用EUV光刻機(jī)生產(chǎn)10納米。
臺(tái)積電的7納米工藝就采用了DUV光刻機(jī)生產(chǎn)，如此做是為了盡快量產(chǎn)7納米，并確保7納米工藝的量產(chǎn)；當(dāng)時(shí)三星卻率先采用了EUV光刻機(jī)生產(chǎn)7納米，結(jié)果是臺(tái)積電用DUV光刻機(jī)生產(chǎn)的7納米良率更高，在吃透了7納米技術(shù)之后，臺(tái)積電再用EUV光刻機(jī)生產(chǎn)7納米，提升7納米技術(shù)的性能。
Intel的10納米被認(rèn)為與臺(tái)積電和三星的7納米相當(dāng)，這也是業(yè)界質(zhì)疑臺(tái)積電和三星玩數(shù)字游戲的原因，而臺(tái)積電的10納米工藝幾乎是曇花一現(xiàn)，7納米量產(chǎn)后，10納米幾乎被舍棄，芯片企業(yè)要么采用16納米，要么直接用7納米，可以說(shuō)臺(tái)積電的10納米工藝就是一種過(guò)渡工藝。
如今這項(xiàng)多重曝光技術(shù)得到中國(guó)芯片行業(yè)的青睞，則在于中國(guó)芯片行業(yè)難以得到EUV光刻機(jī)，選擇多重曝光技術(shù)實(shí)屬無(wú)奈，但是如果采用這項(xiàng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)5納米工藝，對(duì)于中國(guó)芯片行業(yè)來(lái)說(shuō)則是重大突破。
由于眾所周知的因素所影響，中國(guó)的手機(jī)芯片、AI芯片等等都無(wú)法由臺(tái)積電以先進(jìn)的5納米工藝生產(chǎn)，這對(duì)中國(guó)芯片行業(yè)影響巨大，畢竟更先進(jìn)的工藝可以帶來(lái)更強(qiáng)的性能和更低的功耗，增強(qiáng)芯片競(jìng)爭(zhēng)力。
中國(guó)芯片研發(fā)的SAQP技術(shù)也有弊端，那就是多曝光一次，芯片的良率就會(huì)進(jìn)一步下降，成本上升，不過(guò)在當(dāng)前環(huán)境下，實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝的量產(chǎn)，對(duì)于國(guó)產(chǎn)芯片來(lái)說(shuō)那是0與1的關(guān)系，只要能量產(chǎn)，那么對(duì)于中國(guó)芯片來(lái)說(shuō)就具有重要意義。
當(dāng)前國(guó)產(chǎn)的AI芯片以7納米工藝生產(chǎn)，在性能方面已媲美NVIDIA的A100芯片，可以看出國(guó)產(chǎn)芯片在芯片設(shè)計(jì)技術(shù)方面已達(dá)到相當(dāng)高的水準(zhǔn)，而AI芯片價(jià)格昂貴，A100的售價(jià)達(dá)到10萬(wàn)元人民幣，更高端的H100售價(jià)則達(dá)到26萬(wàn)元人民幣，完全可以承受SAQP技術(shù)增加的成本。
在AI芯片市場(chǎng)，中國(guó)芯片的突破已顯示了威力，由于美國(guó)限制NVIDIA對(duì)中國(guó)出售高端AI芯片，此前NVIDIA將閹割八成性能的H20芯片定價(jià)也超過(guò)10萬(wàn)元人民幣，但是隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)大舉采用國(guó)產(chǎn)AI芯片，NVIDIA迅速將H20降價(jià)到7萬(wàn)元人民幣，可以看出國(guó)產(chǎn)AI芯片的可替代性促使NVIDIA放下了身段，否則NVIDIA可能會(huì)將H20賣(mài)得更貴。
全球芯片行業(yè)其實(shí)有七成以上都是14納米及以上成熟工藝芯片，先進(jìn)工藝芯片的占比并不高，中國(guó)芯片已能量產(chǎn)接近7納米水平的工藝，如果再能量產(chǎn)接近5納米的工藝，那么國(guó)產(chǎn)芯片將可以替代絕大多數(shù)芯片。
這對(duì)于全球芯片行業(yè)影響深遠(yuǎn)，畢竟中國(guó)采購(gòu)了全球近七成的芯片，如果國(guó)產(chǎn)芯片替代率進(jìn)一步上漲，那么全球芯片供給過(guò)剩的窘境將會(huì)加劇，芯片價(jià)格會(huì)進(jìn)一步下降，中國(guó)進(jìn)口芯片的成本也會(huì)進(jìn)一步下降，這些降低的成本其實(shí)也在變相彌補(bǔ)中國(guó)利用SAQP制造先進(jìn)工藝增加的成本。
