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        美國(guó)大手筆補(bǔ)貼半導(dǎo)體企業(yè)后,全球半導(dǎo)體格局迎新轉(zhuǎn)變

        2024-05-20 來(lái)源:賢集網(wǎng)
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        關(guān)鍵詞: 傳感器 人工智能 晶圓

        美國(guó)唯一一家專門生產(chǎn)傳感器、電源和高壓半導(dǎo)體的制造商Polar Semiconductor(“Polar”或“公司”)宣布計(jì)劃擴(kuò)建其布盧明頓工廠,明尼蘇達(dá)州的制造工廠,并涉足創(chuàng)新技術(shù),為新客戶和市場(chǎng)提供服務(wù)。

        Polar 預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)投資約 5.25 億美元用于擴(kuò)建該設(shè)施,但須獲得適當(dāng)?shù)呐鷾?zhǔn)以及聯(lián)邦、州和地方的激勵(lì)措施。Polar 已與商務(wù)部簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄,根據(jù)該備忘錄,作為美國(guó)芯片和科學(xué)法案的一部分,Polar 將獲得 1.2 億美元的擬議直接資金,以及明尼蘇達(dá)州的 7500 萬(wàn)美元投資。



        此外,Polar 還簽訂了一份最終協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,Niobrara Capital 和 Prysm Capital 將牽頭進(jìn)行 1.75 億美元的股權(quán)投資,使 Polar 能夠轉(zhuǎn)型為美國(guó)獨(dú)資的商業(yè)代工廠。Polar 計(jì)劃申請(qǐng)財(cái)政部的投資稅收抵免,預(yù)計(jì)最高可達(dá)合格資本支出的 25%。


        通過(guò)這些投資,Polar 期望:

        將美國(guó)目前200mm半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)能翻倍,產(chǎn)量從每月約20,000片晶圓增加到每月近40,000片晶圓;

        通過(guò)新的自動(dòng)化和人工智能功能擴(kuò)展和現(xiàn)代化其設(shè)施,通過(guò)規(guī)模經(jīng)濟(jì)提高全球競(jìng)爭(zhēng)力;

        以尖端半導(dǎo)體產(chǎn)品更好地服務(wù)美國(guó)汽車、航天與國(guó)防、光電、MEMS、醫(yī)療器械等領(lǐng)域客戶;

        創(chuàng)造 160 多個(gè)新就業(yè)崗位,進(jìn)一步加強(qiáng) Polar 對(duì)社區(qū)的支持。

        Polar Semiconductor 總裁兼首席運(yùn)營(yíng)官 Surya Iyer 表示:“我們非常高興地宣布對(duì)明尼蘇達(dá)州半導(dǎo)體制造的這項(xiàng)歷史性投資。我們擴(kuò)大的制造設(shè)施將使我們能夠提高產(chǎn)能并涉足創(chuàng)新技術(shù),以服務(wù)新客戶和市場(chǎng)。Polar 及其員工感謝美國(guó)商務(wù)部和明尼蘇達(dá)州對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)未來(lái)的承諾,并贊賞與明尼蘇達(dá)州就業(yè)和經(jīng)濟(jì)發(fā)展部 (“DEED”) CHIPS 項(xiàng)目辦公室的密切合作以及明尼蘇達(dá)州布盧明頓市參與整個(gè)過(guò)程。

        Polar 還很高興地歡迎 Niobrara Capital 和 Prysm Capital 的重大股權(quán)投資,這將使該公司成為美國(guó)公司,并感謝我們的長(zhǎng)期合作伙伴 Sanken Electric 和 Allegro MicroSystems 的持續(xù)支持。”


        美國(guó)對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)提供巨額補(bǔ)貼

        在剛剛過(guò)去的4月,臺(tái)積電、三星、美光接連獲得美國(guó)政府資金補(bǔ)貼。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),已經(jīng)有7家半導(dǎo)體企業(yè)獲得美國(guó)政府資金補(bǔ)貼。

        美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》于2022年8月頒布,計(jì)劃撥款超過(guò)527億美元資金,用于扶持美國(guó)半導(dǎo)體研發(fā)、制造和勞動(dòng)力發(fā)展。其中390億美元作為直接撥款,補(bǔ)貼給半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商。

        業(yè)內(nèi)人士接受《中國(guó)電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示,美方對(duì)本土芯片產(chǎn)業(yè)提供巨額補(bǔ)貼和稅收優(yōu)惠,部分條款逼迫企業(yè)棄中就美,具有明顯的歧視性,嚴(yán)重違背了市場(chǎng)規(guī)律和國(guó)際經(jīng)貿(mào)規(guī)則,將對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈造成扭曲。


        美光獲61.4億美元補(bǔ)貼

        當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月25日,美國(guó)最大的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片制造商美光科技宣布,將從美國(guó)聯(lián)邦政府獲得61.4億美元的直接資金,用于在紐約建設(shè)兩座DRAM晶圓廠,在愛(ài)達(dá)荷州新建一家DRAM晶圓廠。除61億美元的政府撥款外,美光也有資格獲得美國(guó)財(cái)政部的投資稅收抵免,這將為合格的資本投資提供25%的抵免。此外紐約州政府也將提供價(jià)值55億美元的激勵(lì)措施。


        三星獲64億美元補(bǔ)貼

        當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月15日,美國(guó)商務(wù)部宣布,將向三星提供64億美元的直接補(bǔ)貼,支持該公司在得克薩斯州建設(shè)計(jì)算機(jī)芯片制造和研發(fā)產(chǎn)業(yè)集群。此外三星還計(jì)劃申請(qǐng)美國(guó)財(cái)政部的投資稅收抵免,預(yù)期能夠覆蓋合規(guī)資本支出的25%。

        據(jù)悉,三星將對(duì)其位于得州奧斯汀的原有晶圓廠進(jìn)行擴(kuò)建,同時(shí)在奧斯汀東北方向的泰勒市新建兩座專注于大規(guī)模生產(chǎn)4nm和2nm工藝制程芯片的晶圓廠、一座研發(fā)工廠和一座先進(jìn)封裝設(shè)施。



        臺(tái)積電獲66億美元補(bǔ)貼

        當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月8日,美國(guó)商務(wù)部宣布,將向臺(tái)積電(TSMC)發(fā)放66億美元的直接資金補(bǔ)貼,并提供50億美元的低息政府貸款,用于支持臺(tái)積電在亞利桑那州新建設(shè)三座新的尖端芯片廠。

        臺(tái)積電透露,依進(jìn)度規(guī)劃,亞利桑那州首座晶圓廠將于2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn)4納米制程芯片,第二座廠除了采用3納米技術(shù),還將于2028年生產(chǎn)采用下一世代納米片(Nanosheet)晶體管結(jié)構(gòu)的2納米制程芯片。至于第三座晶圓廠,預(yù)計(jì)將在21世紀(jì)20年代末(2029年至2030年)采用2納米或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)。


        英特爾獲85億美元補(bǔ)貼

        當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月20日,美國(guó)商務(wù)部和英特爾簽署非約束性的初步條款備忘錄,擬通過(guò)《芯片和科學(xué)法案》為英特爾提供85億美元的直接資金補(bǔ)貼和110億美元的聯(lián)邦貸款擔(dān)保,以推進(jìn)其在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州的商用半導(dǎo)體項(xiàng)目。其中,英特爾在俄亥俄州的新建晶圓廠將耗資逾200億美元,預(yù)計(jì)該廠將于2027年或2028年投產(chǎn)。據(jù)悉,俄亥俄州的工廠將生產(chǎn)人工智能芯片。


        格芯獲15億美元補(bǔ)貼

        當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月19日,美國(guó)政府表示,將向Global Foundries(格芯)提供15億美元資金,以支持其在紐約州馬爾他興建新廠,并擴(kuò)大當(dāng)?shù)嘏c佛蒙特州伯靈頓(Burlington)既有的生產(chǎn)規(guī)模。此外,政府還將提供給格芯16億美元的貸款,最終帶動(dòng)投資在120億美元左右。


        微芯獲1.62億美元補(bǔ)貼

        當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月4日,美國(guó)商務(wù)部宣布,向Microchip Technology(微芯)提供1.62億美元的政府補(bǔ)貼,以提高該公司芯片和微控制器(MCU)的產(chǎn)量。據(jù)悉,該筆補(bǔ)貼將分為兩個(gè)部分,第一部分約為9000萬(wàn)美元,用于擴(kuò)建Microchip Technology在美國(guó)科羅拉多州的一家制造工廠,第二部分約為7200萬(wàn)美元,用于擴(kuò)建在美國(guó)俄勒岡州的一家工廠。


        全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局出現(xiàn)新變化

        全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈呈現(xiàn)高度專業(yè)化,不同地區(qū)在不同領(lǐng)域具有優(yōu)勢(shì)。

        比如,總部在美國(guó)的公司在芯片設(shè)計(jì)、核心IP、EDA方面處于領(lǐng)先地位;美歐日企業(yè)在設(shè)備領(lǐng)域領(lǐng)先;中國(guó)大陸、日本、中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)在半導(dǎo)體材料方面領(lǐng)先;韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域領(lǐng)先;組裝、測(cè)試和封裝 (ATP)主要集中在中國(guó)大陸和臺(tái)灣。

        供應(yīng)鏈的全球整合特性使區(qū)域?qū)I(yè)化成為可能,使每家專業(yè)公司都能進(jìn)入全球市場(chǎng)。但地理集中也造成了脆弱性,預(yù)計(jì)未來(lái)將呈現(xiàn)顯著的地域多元化,主要從晶圓制造和封測(cè)兩個(gè)領(lǐng)域開(kāi)始。報(bào)告認(rèn)為考慮到成本壓力,封測(cè)組裝企業(yè)不太可能將總部設(shè)在美國(guó),除非是在新晶圓廠附近的一些先進(jìn)封裝設(shè)施。

        中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)已經(jīng)宣布計(jì)劃在島上新建7座晶圓廠。臺(tái)灣芯片制造龍頭臺(tái)積電還與索尼、電裝、豐田合作,提高日本熊本工廠的制造能力。中國(guó)大陸正在深圳、天津和上海進(jìn)行新的晶圓廠投資。

        日本芯片制造創(chuàng)企Rapidus在北海道的新工廠建立了先進(jìn)的2nm芯片生產(chǎn)線。韓國(guó)宣布了一項(xiàng)投資471億美元的計(jì)劃,在京畿道的一個(gè)大型芯片集群建造16座新晶圓廠。

        從2020年到2023年底,僅是在美國(guó)就宣布了80個(gè)新的半導(dǎo)體制造項(xiàng)目,預(yù)計(jì)將創(chuàng)造5萬(wàn)個(gè)直接新增就業(yè)崗位。

        歐洲在新產(chǎn)能方面進(jìn)行了大量投資,自2020年以來(lái)宣布了7項(xiàng)重大晶圓廠投資。產(chǎn)能的大部分正在德國(guó)東部建設(shè),包括英特爾在馬格德堡的投資,以及臺(tái)積電與歐洲領(lǐng)先半導(dǎo)體制造商在德累斯頓共同投資建設(shè)新工廠。

        在法國(guó)南部,格芯已經(jīng)與意法半導(dǎo)體合作,在克羅萊投資31億美元建造了一家晶圓廠。波蘭也準(zhǔn)備設(shè)立一家新的英特爾先進(jìn)封裝工廠。



        報(bào)告預(yù)計(jì)從現(xiàn)在到2032年,各地區(qū)之間將有大量投資流動(dòng)。

        大力投資于前沿技術(shù)可以使一個(gè)地區(qū)在創(chuàng)新的前沿競(jìng)爭(zhēng),但不會(huì)完全反映在每月的晶圓開(kāi)工量上;另一方面,投資于成熟制程,允許一個(gè)地區(qū)在短期內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多的金錢和就業(yè)價(jià)值,風(fēng)險(xiǎn)是在需求可能固定或減弱的部分創(chuàng)造過(guò)剩的產(chǎn)能。

        先進(jìn)邏輯的投資模式已經(jīng)在全球范圍內(nèi)變得更加分散,中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)公司在美國(guó)、歐洲和日本的投資明顯增加。

        先進(jìn)的邏輯產(chǎn)量將從2022年幾乎100%分布在韓國(guó)和臺(tái)灣,到2032年將超過(guò)40%分布在這些地區(qū)以外。

        2022年,美國(guó)沒(méi)有生產(chǎn)任何先進(jìn)的邏輯芯片。到2032年,美國(guó)將生產(chǎn)近30%的工藝小于10nm的邏輯芯片。

        當(dāng)計(jì)劃中的晶圓廠投入使用時(shí),歐洲和日本也將生產(chǎn)約12%的10nm以上的芯片。

        在10至22nm范圍內(nèi)的邏輯工藝方面,日本將從頭開(kāi)始發(fā)展5%的市場(chǎng)份額,而中國(guó)大陸的份額將從6%增加到19%。大于或等于28nm的邏輯將保持良好的分布,大多數(shù)區(qū)域的份額變化很小。

        中國(guó)大陸的份額增幅最大,從2022年的33%上升到2032年的37%。

        在其他制程技術(shù)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)仍將高度集中在韓國(guó),但美國(guó)的份額將從3%增加到9%,增長(zhǎng)了3倍。

        NAND內(nèi)存的地理集中度將會(huì)提高。到2032年,韓國(guó)的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將從30%上升到42%,日本和韓國(guó)合計(jì)將占到約75%的容量。

        離散、模擬和光電子芯片(DAO)將保持良好的分布,所有主要地區(qū)的參與份額將達(dá)到5%或更高。



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