臺(tái)積電認(rèn)慫，還是要買ASML新EUV光刻機(jī)，30億1臺(tái)也得買
眾所周知，ASML已經(jīng)推出了最新的EUV光刻機(jī)，叫做High NA EUV。
這種High NA EUV光刻機(jī)，與之前的光刻機(jī)，最大的參數(shù)區(qū)別就是之前的EUV光刻機(jī)，數(shù)值孔徑是0.33NA的，現(xiàn)在的是0.55NA的。
數(shù)值孔徑越大，收集和聚焦光就越多，那么光線功率越高，分辨率也越高。
按照ASML的說(shuō)法，未來(lái)很長(zhǎng)一段時(shí)間，High NA EUV可能就是天花板，可能再難以前進(jìn)了，因?yàn)閿?shù)值孔徑達(dá)到0.55之后，以當(dāng)前的技術(shù)水平，很難提升，除非技術(shù)上再有突破了。所以理論上有數(shù)值孔徑為0.75 NA的Hyper NA EUV光刻機(jī)，但不一定能夠量產(chǎn)。
也因?yàn)閿?shù)值孔徑的提升，所以以前的舊EUV光刻機(jī)，只能打印13.5nm的線寬，新的High NA EUV可以打印8nm線寬。
所以，ASML給大家的建議是，當(dāng)生產(chǎn)2nm以下的芯片時(shí)，最好使用High NA EUV光刻機(jī)，因?yàn)榉直媛矢摺?/span>
為此，英特爾為了盡快推出2nm芯片，追上并超過(guò)臺(tái)積電，就找ASML買了最新的High NA EUV光刻機(jī)，目前ASML已經(jīng)將其運(yùn)到了intel。
據(jù)稱這臺(tái)光刻機(jī)，重量高達(dá)150噸，也就是150000KG，運(yùn)輸時(shí)用到250個(gè)貨箱，運(yùn)到intel后，還需要ASML派250名工程師，花費(fèi)6個(gè)月，才能組裝并聯(lián)調(diào)到位。
不過(guò)對(duì)這種光刻機(jī)，臺(tái)積電似乎不感興趣，臺(tái)積電之前表示，2nm肯定不用這種光刻機(jī)，因?yàn)樘F了，就用之前的標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)就行。
后來(lái)臺(tái)積電更是表示，1.6nm芯片，也不用這種光刻機(jī)，用標(biāo)準(zhǔn)EUV就夠了，原因還是太貴，臺(tái)積電不想換，畢竟這種光刻機(jī)要3.5億歐元一臺(tái)，接近30億元。
但是，近日，臺(tái)積電還是改口了，只確定2025年量產(chǎn)的2nm不用這種0.55NA的光刻機(jī)，至于1.6nm的，臺(tái)積電自己也表示不確定了。
而ASML則表示，目前已經(jīng)和臺(tái)積電達(dá)成溝通，臺(tái)積電會(huì)購(gòu)買這種0.55NA的光刻機(jī)，至于什么時(shí)候購(gòu)買，用于什么工藝，ASML沒(méi)說(shuō)。
其實(shí)說(shuō)對(duì)于這個(gè)結(jié)果，并不意外，雖然0.55NA的EUV光刻機(jī)貴，但臺(tái)積電也有不得不買它的理由。
前面已經(jīng)提到過(guò)，數(shù)值孔徑提升，分辨率提高，從13.5nm的線寬，提高到8nm了。另外生產(chǎn)速度也提升了，之前舊的EUV，每小時(shí)只能生產(chǎn)200片12寸的晶圓，新的0.55NA EUV光刻機(jī)，能生產(chǎn)400-500片12寸的晶圓，速度快2-2.5倍了。
對(duì)于臺(tái)積電而言，如果速度、精度、效率都被英特爾超過(guò)了，那么前景堪憂，所以臺(tái)積電也不得不認(rèn)慫，繼續(xù)找ASML買最新的EUV光刻機(jī)，哪怕它很貴，高達(dá)30億元一臺(tái)，也不得不買。
而這也正是ASML的商業(yè)模式，那就是擠牙膏式的不斷升級(jí)ASML光刻機(jī)，推進(jìn)先進(jìn)工藝，然后讓晶圓廠來(lái)買，一旦工藝不再前進(jìn)，那么整個(gè)產(chǎn)業(yè)都會(huì)崩塌，而現(xiàn)在ASML差不多也走到終點(diǎn)了。
