中國芯的好消息：EUV光刻機沒有下一代，芯片工藝達到極限

近日，媒體報道稱，臺積電計劃在1.6nm芯片工藝時，繼續(xù)使用目前標(biāo)準(zhǔn)的EUV光刻機，也就是數(shù)值孔徑=0.33NA的光刻機，而不是最新的High NA EUV。

臺積電說是因為其太貴了，一臺要3.5億歐元，接近30億人民幣，不劃算。

另外，也因為ASML的這種High NA EUV產(chǎn)量有限，一年才幾臺，或10來臺左右，已經(jīng)被intel預(yù)訂了大部分產(chǎn)能，臺積電也暫時搶不到貨。

所以臺積電基于價格、產(chǎn)能等，決定繼續(xù)在標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機上，采用多重曝光技術(shù)，制造1.6nm芯片，臺積電說，并不是只有High NA EUV才能進入2nm以下，標(biāo)準(zhǔn)EUV也行的。

當(dāng)然，臺積電也沒有將話說死，也并不是說不一定不用這種High NA EUV，要看具體懷況，要看公司能取得的最佳經(jīng)濟與技術(shù)平衡而定。

事實上，臺積電的左右為難，也是ASML當(dāng)前的尷尬處境，那就是EUV光刻機更新?lián)Q代越來越貴，一般的客戶根本用不起。

甚至因為量產(chǎn)成本太高，EUV光刻機，從High NA EUV之后，可能就沒有下一代了，這可能是最后一代了。

High NA EUV對應(yīng)之前的標(biāo)準(zhǔn)EUV，有幾大改進，一是NA也就是數(shù)值孔徑從0.33變成了0.55，數(shù)值孔徑越大，進入的光線越多，功率越高，那么分辨率就越高。

所以標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機刻畫的半間距是13.5nm，而High NA EUV可以達到8nm。

另外功率方面，從1.5兆瓦，提升到2兆瓦，效率也更高了，從原來的每小時200片12寸晶圓，變成了400-500片晶圓。

在ASML之前的技術(shù)演進中，High NA EUV之后，就是Hyper NA EUV，這種EUV光刻機功率更大，NA達到0.75，分辨率更高，速度更快，效率也更高。

不過對于這種NA=0.75的光刻機，ASML也表示，因為其量產(chǎn)難度非常大，理論上可能存在，但實際上也許量產(chǎn)不了，就算量產(chǎn)了，成本也太貴，實際用于商用，可能很難，沒有什么晶圓廠會買單。

看到這里，大家或許明白了，High NA EUV之后，繼續(xù)按照EUV光刻機的路去走，已經(jīng)走不通了，因為EUV光刻機或許真的沒有下一代了。

而這些年，ASML不斷的研發(fā)新光刻機，每次新光刻機誕生，都能推動芯片工藝的進步，可以說光刻機就是整個芯片工藝術(shù)前進的火車頭。一旦ASML沒有更先進的光刻機了，工藝差不多也就止步了，對于晶圓廠，對于整個芯片產(chǎn)業(yè)而言，都是一個不好消息，那就是芯片工藝或許也無法前進了。

那么整個芯片產(chǎn)業(yè)，都將陷入尷尬局面，難道大家都止步不前？等ASML的新一代光刻機？或許到這個時候，換道，換方向會是ASML或整個芯片產(chǎn)業(yè)的方向。

當(dāng)然，這對于中國芯而言，也是一件好消息，畢竟跑在前面的被墻擋住了，只能在原地等，我們跟在后面的，相信很快也就能夠追上了，你覺得呢？