英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定義AI服務(wù)器電源的功率密度和效率

這些需求以及更高要求的應(yīng)用和相關(guān)特定客戶需求的出現(xiàn)，促使英飛凌科技股份公司開發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品。現(xiàn)在，英飛凌基于今年早些時候發(fā)布的第二代（G2）CoolSiCTM技術(shù)，推出全新CoolSiC? MOSFET 400 V系列。全新MOSFET產(chǎn)品組合專為AI服務(wù)器的AC/DC級開發(fā)，是對英飛凌最近公布的PSU路線圖的補充。該系列器件還適用于太陽能和儲能系統(tǒng)（ESS）、變頻電機控制、工業(yè)和輔助電源（SMPS）以及住宅建筑固態(tài)斷路器。

CoolSiC? MOSFET 400 V TO-Leadless

英飛凌功率系統(tǒng)業(yè)務(wù)線負責人Richard Kuncic表示：“英飛凌提供的豐富高性能MOSFET和GaN晶體管產(chǎn)品組合能夠滿足AI服務(wù)器電源對設(shè)計和空間的苛刻要求。我們致力于通過CoolSiC?  MOSFET 400 V G2等先進產(chǎn)品為客戶提供支持，推動先進AI應(yīng)用實現(xiàn)最高能效。”

與現(xiàn)有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的傳導和開關(guān)損耗。這款AI服務(wù)器電源裝置的AC/DC級采用多級PFC，功率密度達到100 W/in3以上，并且效率達到99.5%，較使用650 V SiC MOSFET的解決方案提高了0.3個百分點。此外，由于在DC/DC級采用了CoolGaN?晶體管，其系統(tǒng)解決方案得以完善。通過這一高性能MOSFET與晶體管組合，該電源可提供8千瓦以上的功率，功率密度較現(xiàn)有解決方案提高了3倍以上。

全新MOSFET產(chǎn)品組合共包含10款產(chǎn)品：5款RDS(on)級（11至45mΩ）產(chǎn)品采用開爾文源TOLL和D2PAK-7封裝以及.XT封裝互連技術(shù)。在Tvj=25°C時，其漏極-源極擊穿電壓為400 V，因此非常適合用于2級和3級轉(zhuǎn)換器以及同步整流。這些元件在苛刻的開關(guān)條件下具有很高的穩(wěn)健性，并且通過了100%的雪崩測試。高度穩(wěn)健的CoolSiC?技術(shù)與.XT互連技術(shù)相結(jié)合，使這些半導體器件能夠應(yīng)對AI處理器功率要求突變所造成的功率峰值和瞬態(tài)，并且憑借連接技術(shù)和低正RDS(on)溫度系數(shù)，即便在結(jié)溫較高的工作條件下也能發(fā)揮出色的性能。

供貨方面，CoolSiC? MOSFET 400 V產(chǎn)品組合的工程樣品現(xiàn)已發(fā)布，并將于2024年10月開始量產(chǎn)。