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        蘋果高動態(tài)范圍CMOS專利曝光!性能超越專業(yè)電影機(jī)?

        2025-07-03 來源:電子發(fā)燒友
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        關(guān)鍵詞: 蘋果專利 CMOS傳感器 立體堆疊架構(gòu) LOFIC 電流存儲電路

        電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)前幾天電子發(fā)燒友網(wǎng)曾報道了近年來智能手機(jī)CMOS圖像傳感器的高動態(tài)范圍趨勢,最近蘋果也獲得了一項名為“具有高動態(tài)范圍和低噪聲的堆疊像素圖像傳感器”的專利,同樣是針對高動態(tài)范圍CMOS。
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        下面我們簡單看下蘋果的專利里是如何做到高動態(tài)分為CMOS的。

        立體堆疊架構(gòu)+LOFIC+電流存儲電路+3T像素

        目前傳統(tǒng)的圖像傳感器主要使用4T像素結(jié)構(gòu),包含四個晶體管:傳輸門、復(fù)位門、選擇門和源極跟隨晶體管,通常是基于單片CMOS工藝制造,所有的晶體管位于同一硅晶圓平面上。

        其中,傳輸門的存在,是實現(xiàn)CDS雙關(guān)雙采樣以及降低噪聲的關(guān)鍵,主要是得益于其精準(zhǔn)控制光電荷轉(zhuǎn)移的能力。CDS的核心思想是通過兩次采樣,包括復(fù)位后噪聲采樣+光電荷轉(zhuǎn)移后信號采樣,利用差值計算消除固定模式噪聲(FPN)和熱噪聲(kTC噪聲)。

        而另一種方向是采用3T像素的結(jié)構(gòu),在4T像素基礎(chǔ)上省略了傳輸門,由于結(jié)構(gòu)的簡化,占地面積更小,也更適合高密度像素的設(shè)計。但這樣帶來的就是傳感器噪聲更高,需依賴額外電路或算法補(bǔ)償噪聲。

        那么為什么要用3T像素結(jié)構(gòu)?蘋果是通過采用立體堆疊架構(gòu),加入LOFIC電路以及噪聲補(bǔ)償?shù)碾娐?,在實現(xiàn)高像素密度的同時,兼顧超高動態(tài)范圍以及低噪聲。

        具體來看,蘋果這份專利的核心架構(gòu)是立體堆疊,將傳統(tǒng)集成于一體的CMOS傳感器拆分為上下兩層獨立的芯片。

        傳感器芯片位于上層,直接面向光線。這一層被極致簡化,專注于最純粹的光電轉(zhuǎn)換任務(wù),主要包含光電二極管(Photodiode)和LOFIC電路。

        邏輯芯片位于下層,負(fù)責(zé)所有復(fù)雜的數(shù)字和模擬信號處理,包括創(chuàng)新的電流存儲電路、列讀出電路以及時序控制邏輯。

        這種分離式設(shè)計帶來了顯著優(yōu)勢。首先,兩層芯片可以采用各自最優(yōu)的半導(dǎo)體制程。例如,傳感器層可使用針對光電轉(zhuǎn)換效率優(yōu)化的特種工藝,而邏輯層則可采用更先進(jìn)、更成熟的CMOS工藝,以實現(xiàn)更高的晶體管密度和更低的功耗。其次,它為像素下方騰出了寶貴的物理空間,使得集成復(fù)雜的像素級電路(如噪聲感應(yīng)電路)成為可能,這是實現(xiàn)顛覆性降噪的關(guān)鍵前提。最終,這種高度集成化的設(shè)計有助于打造出更纖薄的傳感器模組,完美契合移動設(shè)備對空間寸土寸金的要求。

        LOFIC(橫向溢出積分電容)目前市面上已經(jīng)有一些CMOS傳感器應(yīng)用,比如豪威、思特威等都已經(jīng)量產(chǎn)采用LOFIC技術(shù)的CMOS傳感器產(chǎn)品,主打高動態(tài)范圍的特性。

        簡單來說,如果將電容形容成一個水池,水池中的水代表進(jìn)光量,那么LOFIC就是通過多個可連通的水池,根據(jù)水量來動態(tài)分配每個水池中的水量,避免溢出或是水太淺,即避免高光過曝和暗光環(huán)境進(jìn)光量不足。

        根據(jù)專利文件描述,蘋果設(shè)計了一套精巧的多級電荷存儲系統(tǒng):

        第一級 (低光): 浮動擴(kuò)散節(jié)點 (Floating Diffusion Node, FD) 本身,用于捕捉低光環(huán)境下的微弱信號。

        第二級 (中等光): 一個容量較?。s20fF)的電荷存儲電容,通過第一個LOFIC晶體管與FD連接,用于存儲中等強(qiáng)度的光信號。

        第三級 (高光): 一個容量較大(約500fF)的電荷存儲電容,通過第二個LOFIC晶體管與小電容串聯(lián),用于容納高光場景下的大量電荷。

        在信號讀出時,系統(tǒng)會依次讀取這三級存儲的電荷量,從而在單次曝光內(nèi)完整記錄下從極暗到極亮的全部光線信息。專利聲稱,該設(shè)計可實現(xiàn)高達(dá) 120dB的動態(tài)范圍,相當(dāng)于近20檔的動態(tài)范圍,而目前頂級的專業(yè)電影攝影機(jī)ARRI ALEXA 35僅為17檔。

        這意味著,搭載該技術(shù)的iPhone將能從根本上解決大光比場景的拍攝難題,無需多幀合成的計算攝影,即可獲得光影細(xì)節(jié)無比豐富的“原生HDR”影像。

        在降噪方面,蘋果創(chuàng)新地使用了“電流存儲電路”,該電路在每個像素對應(yīng)的邏輯芯片區(qū)域都集成了一個。

        電流存儲電路工作原理可以概括為一個精密的“采樣-相減”過程,完全在硬件層面完成:

        第一次讀出 (信號+噪聲): 在曝光結(jié)束后,系統(tǒng)首先進(jìn)行一次常規(guī)讀出,獲取包含了真實光信號和各類噪聲(主要是熱噪聲kTC)的混合信號。

        像素重置與噪聲采樣: 隨后,系統(tǒng)立即對像素進(jìn)行重置(Reset),并立刻進(jìn)行第二次、專門的“噪聲讀出”。由于此時沒有光信號,讀出的便是一個純粹的噪聲樣本。這個噪聲信號被邏輯層的“電流存儲電路”通過內(nèi)部的采樣電容精確地“捕獲”并“記憶”下來。

        硬件級噪聲消除: 最后,邏輯芯片中的相關(guān)雙采樣(Correlated Double Sampling, CDS)電路,將第一次讀出的(信號+噪聲)值,減去被“電流存儲電路”記住的純噪聲值。

        通過這一系列高速操作,噪聲在轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號之前,就在模擬域被精準(zhǔn)地剝離。這是一種“實時、原位”的物理降噪,相比于后期通過AI算法猜測并涂抹噪聲,其優(yōu)勢是壓倒性的。它能最大程度地保留圖像的原始細(xì)節(jié),使得即便在極低光照條件下,也能獲得異常純凈、清晰的圖像。

        那么應(yīng)用到手機(jī)上,帶來的就是在夜間暗光環(huán)境下,也能夠得到低噪點、純凈的畫面。

        量產(chǎn)難題

        不過,這一系列技術(shù)要集成到CMOS圖像傳感器上,對制造工藝提出了相當(dāng)高的要求,要實現(xiàn)量產(chǎn)還要解決很多問題。

        首先是立體堆疊工藝帶來的良率問題,傳感器芯片與邏輯芯片的堆疊,特別是實現(xiàn)兩者間高密度互聯(lián)的Cu-Cu混合鍵合技術(shù),是目前半導(dǎo)體制造的尖端領(lǐng)域。它要求兩片晶圓在原子級別的精度上對準(zhǔn)并鍵合,任何微小的偏差都可能導(dǎo)致整個芯片報廢。此外,連接兩層的硅通孔(TSV)蝕刻工藝,其深度和精度也直接影響著良率。這些復(fù)雜工藝在初期必然導(dǎo)致極高的制造成本和較低的良品率。

        其次,LOFIC電路的集成,需要在微米級的像素單元內(nèi),要精確制造多個不同容值的電容器和控制其通斷的微型晶體管,是一項巨大的挑戰(zhàn)。電容值的精確性、漏電控制以及電容間的信號串?dāng)_,都是必須解決的難題,對光刻、蝕刻和薄膜沉積工藝的穩(wěn)定性要求極高。

        還有電流存儲電路的一致性問題,由于每個像素之間都有對應(yīng)的電流存儲電路,那么如何確保每個像素的噪聲采樣和消除過程都精準(zhǔn)無誤,保持高度一致,是電路設(shè)計和制造中需要攻克的關(guān)鍵難點。

        綜合來看,蘋果這份CMOS專利技術(shù)未來還是有機(jī)會實現(xiàn)量產(chǎn)的。疊層架構(gòu)和LOFIC技術(shù)在汽車和工業(yè)成像領(lǐng)域已有初步應(yīng)用,像豪威、思特威、索尼等廠商都已經(jīng)實現(xiàn)部分產(chǎn)品的量產(chǎn),證明了其技術(shù)方向的可行性。同時這也說明,高動態(tài)范圍的方向,已經(jīng)成為手機(jī)影像行業(yè)的一個核心方向,未來四到五年,圖像傳感器領(lǐng)域可能又將迎來一輪新的技術(shù)大爆炸。



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