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        JSM2181STR 700V單相高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片

        2025-08-16 來源: 作者:深圳市杰盛微半導(dǎo)體有限公司 原創(chuàng)文章
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        關(guān)鍵詞: JSM2181STR 柵極驅(qū)動芯片 700V高壓 多重保護 廣泛應(yīng)用

        在功率電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動芯片如同系統(tǒng)的 “神經(jīng)中樞”,直接決定著功率器件的開關(guān)性能與系統(tǒng)可靠性。長期以來,IRS2181 作為經(jīng)典的 600V 半橋驅(qū)動芯片,憑借穩(wěn)定的性能占據(jù)著不小的市場份額。但隨著高壓應(yīng)用場景的不斷拓展,一款名為 JSM2181STR 的 700V 單相高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片正憑借更優(yōu)異的性能參數(shù),成為工程師眼中替代 IRS2181 的理想之選。今天我們就從技術(shù)參數(shù)、保護機制、應(yīng)用適配等維度,全面解析這款國產(chǎn)驅(qū)動芯片的硬核實力。


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        一、產(chǎn)品概述


        JSM2181S是一款高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側(cè)驅(qū)動芯片,具有兩個獨立地傳輸通道。內(nèi)部集成了高、低側(cè)欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路等保護電路,具備大電流脈沖輸出能力,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平,其浮地通道最高工作電壓可達700V。可用于驅(qū)動N溝道高壓功率MOSFET/IGBT等器件。JSM2181S采用SOP-8封裝,可以在-40℃C至 125℃溫度范圍內(nèi)工作


        二、核心產(chǎn)品特性


        • 自舉工作的浮動通道

        • 最高工作電壓為700V

        • 兼容 3.3V, 5V和 15V 輸入邏輯

        • dv/dt 耐受能力可達+50 V/nsec

        • Vs負壓耐受能力達-9V

        • 柵極驅(qū)動電壓:10V到20V

        • 高、低側(cè)欠壓鎖定電路

          -欠壓鎖定正向閩值 8.9V

          -欠壓鎖定負向閩值 8.2V

        • 芯片開通/關(guān)斷傳輸延時

          - Ton/Toff =130ns/130ns

        • 高低側(cè)延時匹配

        • 驅(qū)動電流能力:

          -拉電流/灌電流=1.9A/2.3A

        • 符合 RoSH 標準

        • sOIc8 (S)




        三、廣泛應(yīng)用,解鎖更多場景可能


        憑借出色的性能,JSM2181STR 的應(yīng)用范圍十分廣泛。在電機控制領(lǐng)域,它能精準驅(qū)動電機運轉(zhuǎn),讓電機在各種工況下都保持高效穩(wěn)定;在家電領(lǐng)域,空調(diào)、洗衣機等設(shè)備用上它,能提升能效,降低能耗;在通用逆變器和微型逆變器中,它的高壓驅(qū)動能力和穩(wěn)定性能,能有效提高能源轉(zhuǎn)換效率。


        無論是工業(yè)自動化設(shè)備,還是家用電子電器,JSM2181STR 都能發(fā)揮重要作用。它在 - 40℃至 125℃的溫度范圍內(nèi)都能正常工作,這讓它能適應(yīng)不同地域、不同環(huán)境的使用需求,真正做到了 “全場景適配”。


        JSM2181STR 這款 700V 單相高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片,用實力證明了它在高壓驅(qū)動領(lǐng)域的優(yōu)勢。從高壓耐受、強勁驅(qū)動,到全能兼容、多重保護,再到小巧封裝、廣泛應(yīng)用,每一個特點都彰顯著它的不凡實力。如果你正在尋找一款性能卓越、穩(wěn)定可靠的柵極驅(qū)動芯片,那么 JSM2181STR 絕對值得關(guān)注,它或許能為你的電子設(shè)計帶來全新的可能。

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        四、引腳功能描述


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         極限工作范圍(Ta=25°C)

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        ESD 與功率特性

        • ESD 額定值:機器放電模式 1.5kV,人體放電模式 500V;

        • 封裝功率(Ta≤25°C):最大值 0.625W;

        • 熱阻:結(jié)到環(huán)境熱阻(Rth,JA)200°C/W;結(jié)溫(TJ)最大值 150°C;存儲溫度 - 55°C 至 150°C。


         推薦工作范圍(Ta=25°C)

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        電氣特性(Ta=25°C,VCC=VB=15V,CL=1nF)

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        芯片通過高側(cè)信號輸入(HIN)和低側(cè)信號輸入(LIN)接收控制邏輯,經(jīng)電平轉(zhuǎn)換和控制邏輯處理后,通過高側(cè)輸出(HO)和低側(cè)輸出(LO)驅(qū)動外部功率器件。內(nèi)部集成欠壓鎖定(UVLO)電路,當 VCC 或 VB 電壓低于閾值時,自動關(guān)斷輸出以保護器件;高低側(cè)延時匹配設(shè)計確保驅(qū)動同步性。


        五、從 “可用” 到 “好用” 的升級之選


        JSM2181STR 并非簡單的 “替代品”,而是 IRS2181 的 “升級款”。700V 高壓能力拓寬應(yīng)用邊界,強勁驅(qū)動與精準時序降低能耗,完善保護提升可靠性,封裝兼容降低升級成本。對于需要提升系統(tǒng)電壓等級、優(yōu)化效率或縮短升級周期的工程師而言,這款芯片用實力證明:好的替代,不僅能 “無縫銜接”,更能 “全面超越”。選擇 JSM2181STR,讓功率電子系統(tǒng)從 “可用” 邁向 “好用”,在可靠性與性能上實現(xiàn)雙重突破。


        如需獲取JSM2181STR datasheet、樣品或代理合作咨詢,歡迎聯(lián)系:

         服務(wù)熱線:13824341110

         郵箱:janice@jsmsemi.cn

         官網(wǎng):www.jsmsemi.com

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