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        JSM21834STR4A 700V集成自舉高側(cè)同低側(cè)反驅(qū)動(dòng)芯片

        2025-08-19 來源: 作者:深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 原創(chuàng)文章
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        關(guān)鍵詞: JSM21834 IRS21834 高壓驅(qū)動(dòng)芯片 多應(yīng)用場景 市場優(yōu)勢

        在電子元器件的快速發(fā)展進(jìn)程中,芯片的更新?lián)Q代日新月異。對(duì)于眾多工程師和電子產(chǎn)品制造商而言,尋找性能更優(yōu)、更適配需求的芯片,是提升產(chǎn)品競爭力的關(guān)鍵。今天,我們將深入探討一款極具潛力的芯片 ——JSM21834,它正以卓越的表現(xiàn),成為 IRS21834 的理想替代者。

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        一、產(chǎn)品概述


        JSM21834S是高壓、高速功率MOSFETIGBT高低側(cè)驅(qū)動(dòng)系列芯片,具有兩個(gè)非獨(dú)立傳輸通道。內(nèi)部集成了高、低側(cè)欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路、和防直通鎖定電路等保護(hù)電路,具備大電流脈沖輸出能力,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平,輸出電流能力最大可達(dá)4A,其浮地通道最高工作電壓可達(dá)700V。可用于驅(qū)動(dòng)N溝道高壓功率MOSFETIGBT等器件。JSM21834S采用SOP-14封裝,可以在-40C至125℃溫度范圍內(nèi)工作。


        二、核心產(chǎn)品特性


        • 自舉工作的浮動(dòng)通道

        • 最高工作電壓為 700V

        • 兼容 3.3 V, 5V 和 15V 輸入邏輯

        • dV/dt 耐受能力可達(dá)±50 V/nsec

        • Vs負(fù)壓耐受能力達(dá)-9V

        • 柵極驅(qū)動(dòng)電壓:10V到20V

        • 高、低側(cè)欠壓鎖定電路

          --欠壓鎖定正向閱值 8.9V

          --欠壓鎖定負(fù)向閾值 8.2V

        • 死區(qū)時(shí)間可通過外部電阻(RDT)調(diào)節(jié):

          --DT=400ns@RDT=0

          -- DT=5μS@RDT=200kΩ

        • 芯片開通/關(guān)斷傳輸延時(shí)

          --Ton/Toff =130ns/130ns

        • 高低側(cè)廷時(shí)匹配

        • 驅(qū)動(dòng)電流能力:

          --拉電流/灌電流=4.0A/4.0A

        • 符合 RoSH 標(biāo)準(zhǔn)

        • SOP-14


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        三、硬核性能參數(shù)解析


        (一)電壓與電流能力

        最高工作電壓:可達(dá) 700V,浮地通道能輕松應(yīng)對(duì)高壓場景需求。

        柵極驅(qū)動(dòng)電壓:范圍在 10V 到 20V 之間,為功率器件提供穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電壓。

        驅(qū)動(dòng)電流能力:拉電流和灌電流均能達(dá)到 4.0A,強(qiáng)大的電流輸出確保功率器件快速開關(guān)。


        (二)保護(hù)與兼容特性

        保護(hù)電路集成:內(nèi)部包含高、低側(cè)欠壓鎖定電路,欠壓鎖定正向閾值為 8.9V,負(fù)向閾值為 8.2V;還集成過壓鉗位電路和防直通鎖定電路,全方位保障芯片及功率器件安全。

        邏輯兼容性:兼容 3.3V、5V 和 15V 輸入邏輯,可與多種邏輯電平的控制電路無縫對(duì)接。


        (三)動(dòng)態(tài)性能表現(xiàn)

        傳輸延時(shí):開通和關(guān)斷傳輸延時(shí)均為 130ns,高速的信號(hào)響應(yīng)讓控制更精準(zhǔn)。

        dV/dt 耐受能力:可達(dá) + 50V/nsec,Vs 負(fù)壓耐受能力達(dá) - 9V,在復(fù)雜電磁環(huán)境中穩(wěn)定性更強(qiáng)。

        死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié):可通過外部電阻(RDT)靈活調(diào)節(jié),當(dāng) RDT=0 時(shí)死區(qū)時(shí)間為 400ns,當(dāng) RDT=200kΩ 時(shí)死區(qū)時(shí)間為 5μs,有效避免功率器件直通。


        四、應(yīng)用范圍


        憑借其優(yōu)異的性能,JSM21834STR 的應(yīng)用范圍十分廣泛:


        • 電機(jī)控制:為各類電機(jī)提供穩(wěn)定高效的驅(qū)動(dòng),確保電機(jī)運(yùn)行平穩(wěn)。

        • 家電領(lǐng)域:適用于空調(diào)、洗衣機(jī)等家電設(shè)備,提升家電的能效與可靠性。

        • 逆變器應(yīng)用:可用于通用逆變器和微型逆變器驅(qū)動(dòng)程序,實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。


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        五、引腳功能描述


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        極限與環(huán)境參數(shù)

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        ESD 額定值

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         推薦工作范圍

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        市場優(yōu)勢顯著,引領(lǐng)行業(yè)新潮流


        供應(yīng)穩(wěn)定,滿足市場需求

        在電子元器件市場,供應(yīng)的穩(wěn)定性至關(guān)重要。JSM21834 背后的供應(yīng)商具備強(qiáng)大的生產(chǎn)能力和完善的供應(yīng)鏈體系,能夠確保芯片的穩(wěn)定供應(yīng)。無論是大規(guī)模的工業(yè)生產(chǎn),還是小型的電子產(chǎn)品研發(fā),都能及時(shí)獲得所需的 JSM21834 芯片,有效避免了因芯片短缺而導(dǎo)致的生產(chǎn)停滯和項(xiàng)目延誤。相比之下,市場上 IRS21834 的供應(yīng)可能會(huì)受到各種因素的影響,如原廠產(chǎn)能調(diào)整、供應(yīng)鏈中斷等,給用戶帶來諸多不便。JSM21834 的穩(wěn)定供應(yīng),為用戶提供了可靠的保障,使其能夠更加安心地進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。

        性價(jià)比突出,助力企業(yè)降本增效


        在追求高性能的同時(shí),成本也是企業(yè)在選擇芯片時(shí)需要重點(diǎn)考慮的因素。JSM21834 以其出色的性能和合理的價(jià)格,展現(xiàn)出了極高的性價(jià)比。它在提供超越 IRS21834 性能的同時(shí),價(jià)格卻具有競爭力,能夠幫助企業(yè)在不增加過多成本的前提下,提升產(chǎn)品的性能和質(zhì)量。這對(duì)于追求成本效益最大化的企業(yè)來說,無疑是一個(gè)極具吸引力的選擇。通過使用 JSM21834 替代 IRS21834,企業(yè)可以在降低采購成本的同時(shí),提高產(chǎn)品的市場競爭力,實(shí)現(xiàn)降本增效的目標(biāo)。


        綜上所述,JSM21834 在性能、應(yīng)用和市場等方面都展現(xiàn)出了超越 IRS21834 的優(yōu)勢。它不僅為電子設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造提供了更強(qiáng)大、更可靠的驅(qū)動(dòng)解決方案,還為企業(yè)帶來了諸多實(shí)際的利益。無論是從技術(shù)創(chuàng)新的角度,還是從市場需求的角度來看,JSM21834 都當(dāng)之無愧地成為替代 IRS21834 的不二之選。相信在未來,JSM21834 將在電子元器件市場中大放異彩,引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展的新潮流。讓我們共同期待 JSM21834 在更多領(lǐng)域創(chuàng)造出令人矚目的成就,為電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的活力。


        如需獲取JSM21834 datasheet、樣品或代理合作咨詢,歡迎聯(lián)系:

         服務(wù)熱線:13824341110

         郵箱:janice@jsmsemi.cn

         官網(wǎng):www.jsmsemi.com

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