日本36億美元補(bǔ)貼美光科技廣島工廠，押注尖端存儲(chǔ)芯片

近日，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省（METI）宣布一項(xiàng)重大產(chǎn)業(yè)政策：將向美國(guó)存儲(chǔ)巨頭美光科技（Micron）位于廣島縣東廣島市的DRAM工廠提供總額高達(dá)5360億日元（約合36.3億美元）的巨額補(bǔ)貼。

這筆投資不僅是對(duì)美光擴(kuò)建計(jì)劃的強(qiáng)力支持，更是日本在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中下出的關(guān)鍵一步棋，旨在奪回在尖端存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的戰(zhàn)略主動(dòng)權(quán)。

根據(jù)公告，這筆補(bǔ)貼分為兩大部分。其核心是5000億日元，用于支持美光斥資1.5萬(wàn)億日元的工廠擴(kuò)建項(xiàng)目，這筆資金將直接補(bǔ)貼美光總投資的三分之一，目標(biāo)是量產(chǎn)下一代DRAM內(nèi)存芯片。此外，還有360億日元專(zhuān)門(mén)用于支持美光在日本的研發(fā)活動(dòng)，以加速高性能存儲(chǔ)器技術(shù)的開(kāi)發(fā)。

美光日本存儲(chǔ)器研發(fā)事業(yè)部高級(jí)副總裁Shigeru Shiratake對(duì)此表示感謝，并強(qiáng)調(diào)這筆撥款將“進(jìn)一步加快面向AI時(shí)代的高性能存儲(chǔ)器解決方案的開(kāi)發(fā)”。

日本此舉背后，是其重塑半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)地位的迫切戰(zhàn)略需求。曾幾何時(shí)，日本在DRAM領(lǐng)域擁有絕對(duì)的統(tǒng)治力，東芝、NEC、日立等企業(yè)是全球市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者。然而，隨著韓國(guó)和美國(guó)企業(yè)的崛起，以及日本自身在產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型中的失誤，其在尖端存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的份額急劇萎縮，供應(yīng)鏈嚴(yán)重依賴(lài)海外。

尤其是在中美科技摩擦加劇、全球供應(yīng)鏈面臨重構(gòu)的背景下，確保關(guān)鍵半導(dǎo)體，特別是作為AI、數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算“血液”的尖端DRAM的本土化生產(chǎn)能力，對(duì)日本的經(jīng)濟(jì)安全和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力至關(guān)重要。

選擇與美光合作，是日本政府深思熟慮的結(jié)果。美光作為全球三大DRAM供應(yīng)商之一，擁有頂尖的技術(shù)實(shí)力和量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。通過(guò)引入美光，日本可以快速建立起一條世界一流的DRAM生產(chǎn)線，避免了從零開(kāi)始研發(fā)的漫長(zhǎng)周期和巨大風(fēng)險(xiǎn)。

此次補(bǔ)貼的核心目標(biāo)明確指向“下一代DRAM”和“高性能存儲(chǔ)器”，這與當(dāng)前AI技術(shù)的爆炸性發(fā)展緊密相連。現(xiàn)代AI大模型的訓(xùn)練和推理需要處理海量數(shù)據(jù)，對(duì)內(nèi)存的帶寬、容量和能效提出了前所未有的要求。高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）等尖端DRAM技術(shù)已成為AI芯片（如GPU）性能的關(guān)鍵瓶頸。通過(guò)支持美光在廣島生產(chǎn)最前沿的DRAM，日本意在將自己嵌入到全球AI產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)。

這筆巨額補(bǔ)貼，不僅將鞏固美光在全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的地位，更將重塑東亞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的地理版圖。

日本政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持不僅限于美光，還包括臺(tái)積電和Rapidus Corp等公司，目標(biāo)是2027年生產(chǎn)2納米芯片。日本政府的這些舉措旨在提升其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的自主能力，并應(yīng)對(duì)全球供應(yīng)鏈的緊張局勢(shì)。

責(zé)編：Jimmy.zhang