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        合科泰 MOS 管:為您解讀規(guī)格書連續(xù)電流 ID 的計算方法

        2025-09-17 來源: 作者:廣東合科泰實業(yè)有限公司
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        關(guān)鍵詞: MOS管 連續(xù)電流ID 熱阻 芯片功耗 合科泰

        引言

        在電子電路的設(shè)計中,MOS管是一種極為重要的分立器件,它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動等眾多領(lǐng)域。而在MOS管的規(guī)格書中,連續(xù)電流ID這個參數(shù)備受關(guān)注。那么,MOS的規(guī)格書上的連續(xù)電流ID究竟是怎么計算出來的呢?今天我們就來解析其背后的計算邏輯。


        連續(xù)電流ID的本質(zhì)

        要理解連續(xù)電流ID的計算,我們首先得知道它代表的含義。連續(xù)電流ID指的是MOS管在特定環(huán)境溫度、散熱條件下可長期安全工作的最大電流值。它并非固定值,而是隨溫度條件和封裝特性動態(tài)變化的。所以計算連續(xù)電流ID主要涉及到幾個關(guān)鍵因素。


        影響ID的關(guān)鍵因素

        其中,熱阻是一個重要的參數(shù)。熱阻反映了MOS管將熱量從芯片傳導(dǎo)到周圍環(huán)境的能力。熱阻越小,MOS管散熱就越好,能夠承受的連續(xù)電流也就越大。合科泰作為專業(yè)的電子元器件廠商,在MOS管的生產(chǎn)中,非常注重?zé)嶙璧目刂啤:峡铺┑腗OS管采用了先進的封裝技術(shù)和散熱設(shè)計,有效降低了熱阻,從而提高了連續(xù)電流ID的數(shù)值。

        另一個影響連續(xù)電流ID的因素是芯片的功耗。功耗與電流的平方成正比,當(dāng)電流增大時,功耗也會急劇增加。如果功耗過大,MOS管的溫度就會升高,超過一定溫度后,MOS管的性能就會下降甚至損壞。合科泰的MOS管通過優(yōu)化芯片的結(jié)構(gòu)和材料,降低了芯片的內(nèi)阻,從而減少了功耗,使得在相同條件下能夠承受更大的連續(xù)電流。


        實際計算示例

        具體的計算方法通常會在MOS管的規(guī)格書中給出一些參考公式和圖表。一般來說,會根據(jù)熱阻、環(huán)境溫度、最大允許結(jié)溫等參數(shù)來計算連續(xù)電流ID。例如,通過已知的熱阻和最大允許結(jié)溫,可以計算出在不同環(huán)境溫度下MOS管能夠承受的最大功耗,再根據(jù)功耗與電流的關(guān)系,反推出連續(xù)電流ID的值。

        以合科泰 HKTD70N04(TO-252封裝)為例:

        • 熱阻 RθJA = 60°C/W

        • 最大結(jié)溫 Tj_max = 150°C

        • 環(huán)境溫度 Ta = 25°C時

        • 允許溫升 ΔT = 150 - 25 = 125°C

        • 最大功耗 P_Dmax = ΔT / RθJA = 125 / 60 ≈ 2.08 W

        若 RDS(on) = 9.5 mΩ(@VGS=10V, ID=15A),

        則可通過電流:


        故該型號在 25℃環(huán)境下的理論連續(xù)電流 ID 約為 14.8A,適用于中功率開關(guān)電源、電機驅(qū)動等場景。


        結(jié)語

        總之,連續(xù)電流ID的計算是一個綜合考慮多個因素的過程。合科泰憑借其先進的技術(shù)和嚴(yán)格的生產(chǎn)工藝,生產(chǎn)出的MOS管在連續(xù)電流ID等參數(shù)上表現(xiàn)出色,能夠滿足不同客戶在各種應(yīng)用場景下的需求。無論是對于電子工程師進行電路設(shè)計,還是電子愛好者進行DIY項目,合科泰的MOS管都是一個值得信賴的選擇。


        公司介紹

        合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術(shù)及專精特新企業(yè)。專注提供高性價比的元器件供應(yīng)與定制服務(wù),滿足企業(yè)研發(fā)需求。

        • 產(chǎn)品供應(yīng)品類:覆蓋半導(dǎo)體封裝材料、電阻/電容/電感等被動元件;以及MOSFET、TVS、肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復(fù)、橋堆、二極管、三極管及功率器件,電源管理IC及其他,一站式配齊研發(fā)與生產(chǎn)所需。

        • 兩大智能生產(chǎn)制造中心:華南和西南制造中心(惠州7.5萬㎡+南充3.5萬㎡)配備共3000多臺先進設(shè)備及檢測儀器;2024年新增3家半導(dǎo)體材料子公司,從源頭把控產(chǎn)能與交付效率。

        • 提供封裝測試OEM代工:支持樣品定制與小批量試產(chǎn),配合100多項專利技術(shù)與ISO9001、IATF16949認(rèn)證體系,讓“品質(zhì)優(yōu)先”貫穿從研發(fā)到交付的每一環(huán)。

        合科泰在始終以“客戶至上、創(chuàng)新驅(qū)動”為核心,為企業(yè)提供穩(wěn)定可靠的元件。

        (附:樣品申請/方案咨詢/小批量采購↓)


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        電子郵箱:hkt@heketai.com

        營銷中心:廣東深圳市龍崗區(qū)康利城7棟8樓。

        制造中心:東莞市塘廈鎮(zhèn)莆心湖商業(yè)街183B,

                     四川省南充市高新區(qū)科創(chuàng)中心17、18號樓。




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