傳中芯國(guó)際在測(cè)試首款國(guó)產(chǎn)28納米DUV光刻機(jī)

據(jù)多家行業(yè)媒體援引知情人士近日消息，中芯國(guó)際（SMIC）已開始對(duì)首款國(guó)產(chǎn)深紫外（DUV）光刻機(jī)進(jìn)行評(píng)估和測(cè)試。

據(jù)悉，中芯國(guó)際正在測(cè)試的深紫外線（DUV）光刻機(jī)由上海初創(chuàng)公司宇量昇生產(chǎn)，采用浸沒式技術(shù)，類似于ASML所采用的技術(shù)。這臺(tái)國(guó)產(chǎn)的28納米（nm）DUV光刻機(jī)，可利用“多重曝光技術(shù)”生產(chǎn)7納米芯片，即在沒有EUV光刻機(jī)的情況下，通過(guò)多次光刻實(shí)現(xiàn)更精細(xì)線路圖案的折中方案。

光刻機(jī)被譽(yù)為半導(dǎo)體制造的“皇冠明珠”，其技術(shù)水平直接決定了芯片的制程工藝和性能。目前，最先進(jìn)的極紫外（EUV）光刻機(jī)由荷蘭ASML公司壟斷，用于7納米及以下先進(jìn)制程的生產(chǎn)。然而，對(duì)于更廣泛的成熟制程市場(chǎng)——包括28納米、40納米乃至部分14/12納米節(jié)點(diǎn)——深紫外（DUV）光刻機(jī)（主要指ArF干式和浸沒式光刻機(jī)）才是真正的“主力軍”。

這些成熟制程芯片廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子、電源管理等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大且穩(wěn)定。長(zhǎng)期以來(lái)，中國(guó)在DUV光刻機(jī)領(lǐng)域也嚴(yán)重依賴進(jìn)口，主要供應(yīng)商同樣是ASML。盡管美國(guó)等國(guó)家的出口管制主要針對(duì)EUV和最先進(jìn)的DUV設(shè)備，但對(duì)成熟制程設(shè)備的獲取也時(shí)常受到限制或延遲，給中國(guó)的芯片產(chǎn)能擴(kuò)張帶來(lái)了不確定性。

知情人士透露，中芯國(guó)際試用的這類設(shè)備也能被推向極限以生產(chǎn)5納米處理器，但良率會(huì)偏低，無(wú)法再進(jìn)一步制造更先進(jìn)的產(chǎn)品。不過(guò)，在美國(guó)出口管制政策下，即使用EUV光刻機(jī)多重曝光工藝良率低、成本高，但至少還有選擇。

目前尚不清楚該光刻機(jī)是否及何時(shí)能夠用于高端芯片的量產(chǎn)。但毫無(wú)疑問(wèn)，成功研發(fā)并量產(chǎn)國(guó)產(chǎn)DUV光刻機(jī)，對(duì)于保障中國(guó)龐大的成熟制程芯片供應(yīng)鏈安全、提升產(chǎn)業(yè)鏈韌性具有至關(guān)重要的戰(zhàn)略意義。

 

責(zé)編：Jimmy.zhang