稀土原子“點(diǎn)石成晶”！南大-蘇州實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合成果登上Science

南京大學(xué)/蘇州實(shí)驗(yàn)室王欣然教授、李濤濤副教授團(tuán)隊(duì)與合作者通過稀土原子對(duì)藍(lán)寶石襯底表面修飾，在國(guó)際上率先突破6英寸二維過渡金屬硫族化合物半導(dǎo)體（以下簡(jiǎn)稱二維半導(dǎo)體）單晶量產(chǎn)化制備技術(shù)。相關(guān)成果以“Robust epitaxy of single-crystal transition-metal dichalcogenides on lanthanum-passivated sapphire”為題，發(fā)表于Science期刊。

研究背景

二維半導(dǎo)體具有原子級(jí)厚度，能有效降低晶體管功耗，實(shí)現(xiàn)三維異質(zhì)異構(gòu)集成，是延續(xù)集成電路摩爾定律的首選材料。大尺寸單晶晶圓是集成電路規(guī)?；圃斓幕?021年，王欣然教授團(tuán)隊(duì)通過藍(lán)寶石襯底斜切設(shè)計(jì)，首次報(bào)道了2英寸二維半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)（Nat. Nanotechnol. 16, 1201-1206 (2021)），證明了大尺寸單晶的可能性。

然而，二維半導(dǎo)體長(zhǎng)期難以走出實(shí)驗(yàn)室。實(shí)驗(yàn)室級(jí)別的化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)在晶圓尺寸、重復(fù)性和均一性等方面難以滿足產(chǎn)業(yè)需求，而金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)雖然具備均勻性和規(guī)?；瘍?yōu)勢(shì)，但只能生產(chǎn)多晶材料，無法滿足高端元器件需求。形象地說，單晶就像高速公路，電子在上面可以快速通行；多晶不僅是小路，而且有很多紅綠燈，電子沒走幾步就得減速、拐彎甚至堵車，器件性能自然欠佳。

圖1 鑭修飾的藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)二維半導(dǎo)體單晶外延

研究成果概況

藍(lán)寶石是理想的產(chǎn)業(yè)化外延襯底，但由于高對(duì)稱性，二維半導(dǎo)體存在多個(gè)等價(jià)方向，拼接時(shí)容易產(chǎn)生多晶。該研究的革命性突破在于團(tuán)隊(duì)開發(fā)的稀土原子表面修飾技術(shù)——在藍(lán)寶石表面構(gòu)建鑭單原子層。雖然只有一個(gè)原子層的厚度，但是卻打破藍(lán)寶石表面固有的對(duì)稱性，讓二維半導(dǎo)體成核鎖定在同一個(gè)方向上，確保了晶疇的單向排列進(jìn)而長(zhǎng)成單晶。該技術(shù)解決了長(zhǎng)久以來二維半導(dǎo)體制備存在的重復(fù)性、穩(wěn)定性以及工藝窗口狹窄等局限，適用于多種材料和多種工藝條件。正是這一創(chuàng)新，將普通的藍(lán)寶石襯底“點(diǎn)石成晶”，從根本上解決了二維半導(dǎo)體單晶規(guī)模化制備的難題。

基于量產(chǎn)化的MOCVD技術(shù)和鑭表面修飾的藍(lán)寶石襯底，團(tuán)隊(duì)一舉實(shí)現(xiàn)了6英寸二硫化鉬（MoS2）、二硫化鎢（WS2）、二硒化鎢（WSe2）和二硒化鉬（MoSe2）等二維半導(dǎo)體單晶的普適制備。多種光譜和電學(xué)表征技術(shù)證實(shí)了優(yōu)異的材料質(zhì)量和均一性，MoS2和WSe2的平均遷移率分別高達(dá)110cm2·V-1·s-1和131cm2·V-1·s-1，單晶尺寸、器件性能同步刷新記錄，實(shí)現(xiàn)大尺寸與高質(zhì)量兼得。

該工作實(shí)現(xiàn)了二維半導(dǎo)體單晶從實(shí)驗(yàn)室技術(shù)到量產(chǎn)化技術(shù)、從單一材料到多種材料普適性制備的跨越，標(biāo)志著二維半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化邁出關(guān)鍵一步，為集成電路、顯示、傳感等領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用奠定了材料基礎(chǔ)。韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院的Kibum Kang教授在Science發(fā)表評(píng)論文章，認(rèn)為該工作“解決了二維半導(dǎo)體應(yīng)用于產(chǎn)業(yè)最關(guān)鍵的問題”。

圖2 6英寸二維半導(dǎo)體單晶晶圓系列

圖3 基于單晶MoS2的場(chǎng)效應(yīng)晶體管陣列

論文信息

該研究由南京大學(xué)與蘇州實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合攻關(guān)完成。蘇州實(shí)驗(yàn)室作為材料領(lǐng)域的國(guó)家戰(zhàn)略科技力量，不僅匯聚跨學(xué)科的頂尖科研力量，為成果提供了核心理論支撐，而且為二維半導(dǎo)體單晶制備、表征與器件工藝提供了一流的平臺(tái)保障。

論文第一作者為南京大學(xué)-蘇州實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合培養(yǎng)博士研究生鄒茜璐、蘇州實(shí)驗(yàn)室博士研究生趙圓圓和南京大學(xué)博士后范東旭。通訊作者為李濤濤副教授、丁峰研究員和王欣然教授。研究得到了國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金、江蘇省基礎(chǔ)研究計(jì)劃、姑蘇創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)領(lǐng)軍人才等項(xiàng)目的資助，以及未來智能芯片交叉研究中心（雅辰基金）、新基石科學(xué)基金會(huì)科學(xué)探索獎(jiǎng)、小米基金的支持。