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        SK海力士明年全系列存儲芯片售罄

        2025-11-03 來源:電子工程專輯
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        關鍵詞: SK海力士 HBM市場 AI存儲需求 DDR5 eSSD

        韓國SK海力士公司在2025年10月29日發布的第三季度財報中宣布,由于面向AI的存儲器需求劇增,已經確保DRAM和NAND閃存所有產品截至明年的客戶需求。這一市場現象顯示人工智能基礎設施建設正在全面拉動存儲芯片需求。 

        該公司第三季度營業利潤同比激增62%,達到11.38萬億韓元(約80億美元),銷售額攀升至24.45萬億韓元,均創歷史新高。 

        作為英偉達高帶寬存儲芯片的主要供應商,SK海力士憑借在HBM市場的領先地位,正成為AI算力競賽中的關鍵受益者。 

        業績破紀錄,HBM成為增長核心引擎 

        SK海力士交出了一份亮眼的季度成績單。第三季度,公司營收達24.45萬億韓元,同比增長39%,營業利潤首次突破10萬億韓元大關,營業利潤率高達47%。 

        更引人注目的是其凈利潤表現——12.6萬億韓元,凈利潤率高達52%。

        這一利潤率在重資產的半導體行業表現突出。 

        推動這一增長的核心動力是HBM業務。12層堆疊的HBM3E和服務器DDR5等高附加值產品成為業績的主要貢獻者。

        SK 海力士表示:“隨著客戶擴大 AI 基礎設施投資,存儲器整體需求劇增。12 層 HBM3E 和面向服務器的 DDR5 等高附加值產品群的銷售增加,由此再次刷新了上季度創下的歷史新高。”

        SK 海力士還表示:“隨著 AI 服務器需求增長,高于 128GB 的高容量 DDR5 出貨量環比增加了一倍以上,在 NAND 閃存領域,面向 AI 服務器的企業級固態硬盤(eSSD,enterprise SSD)出現溢價,其出貨比重增加。”

        該公司的財務狀況顯著改善。截至第三季度末,其現金及現金等價物達到27.9萬億韓元,實現3.8萬億韓元的凈現金狀態,為擴產和研發提供了資金支持。 

        產能搶購潮,2026年訂單全部售罄 

        “鑒于客戶需求強勁,我們明年不僅HBM,包括DRAM、NAND產能均已售罄。” SK海力士財務擔當副社長金祐賢在財報電話會議中表示。甚至有客戶提前購買了2026年的傳統存儲芯片。 

        SK海力士已“鎖定2026年全部DRAM和NAND客戶需求”,意味著即使公司計劃擴大產能,仍無法滿足市場的旺盛需求。 

        在DDR5存儲方面,某些產品現在甚至直接從生產環節銷售給客戶,庫存極低。服務器存儲需求尤為強勁,128GB及以上大容量模塊銷量環比增加了兩倍以上。 

        SK海力士已開始設備安裝,并計劃加快新產能擴張速度。公司宣布2026年資本開支將高于2025年水平,通過M15X項目擴大產能。 

        HBM技術領先,第四季度將出貨HBM4 

        SK海力士的核心競爭力在于HBM芯片的領先地位。據統計,該公司占據全球HBM市場64%的份額,穩居行業第一。

        技術優勢是維持其市場地位的關鍵。公司計劃在本季度開始供應下一代HBM4芯片,并于2026年進行全面銷售。SK海力士表示已完成與主要客戶關于2026年HBM供應的全部談判。 

        HBM4采用了與HBM3E相同的DRAM平臺,這意味著SK海力士能夠靈活地調整兩者的生產比例,以更好地滿足市場需求。 

        除了HBM之外,SK海力士還在積極開發其他適用于AI的存儲芯片,如SOCAMM、LPCAMM2、UFS5.0以及Compute Express Link(CXL)等技術,旨在打造全面的人工智能存儲器解決方案。 

        AI需求結構性變化,存儲芯片市場迎來新模式 

        當前存儲芯片市場的火爆并非周期性的波動,而是AI帶來的結構性變化。SK海力士財務擔當副社長金祐賢表示:“隨著AI技術革新,存儲器市場轉變為新模式,需求開始擴散到所有產品領域。”

        SK海力士與三星電子共同與OpenAI簽署了一項初步協議,將為其Stargate數據中心項目供應半導體。據估計,該項目對HBM的需求將是目前行業產能的兩倍以上。 

        現代汽車證券分析師Greg Roh指出:“除超大規模數據中心運營商及推進自主主權AI建設的國家需求外,OpenAI‘星門’等大型項目的推進將進一步加速HBM需求,這種旺盛需求很可能持續至明年。” 

        AI訓練和推理對存儲芯片的需求正在增長。隨著AI市場從訓練轉向推理,AI服務器的計算負載正在向通用服務器和邊緣設備分散,這推動了對包括高性能DDR5和eSSD在內的整個內存產品組合的需求。 

        競爭格局與未來展望 

        盡管SK海力士目前占據主導地位,但市場競爭正在加劇。三星和美光正在HBM領域加速追趕。三星電子上月通過了英偉達針對先進HBM產品的資格測試,而美光已開始向英偉達供應部分HBM產品。 

        面對競爭,SK海力士計劃通過差異化技術路線鞏固AI內存領域的領導地位。公司計劃加速向已穩定量產的最先進第六代10納米級(1c)工藝過渡,并擴大基于321層NAND閃存的產品供應。 

        行業分析師預測,HBM供應緊張態勢將持續至2027年。這波由AI帶動的高性能存儲芯片需求,正在重塑整個半導體行業的格局。 

        SK海力士計劃明年擴大產能,并加快技術遷移以滿足市場需求。然而,面對需要消耗當前行業兩倍以上HBM產能的超大型項目,全球存儲芯片市場的供需關系可能長期處于緊張狀態。 

        責編:Amy.wu




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