積塔半導(dǎo)體7.2億元成立新公司，深化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局

近日，上海積塔創(chuàng)能半導(dǎo)體有限公司正式宣告成立，注冊資本高達(dá)7.2億元人民幣，法定代表人為王輝。該公司由上海積塔半導(dǎo)體有限公司全資控股，位于中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)云漢路979號2樓，標(biāo)志著積塔半導(dǎo)體在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上的布局邁出了重要一步。

上海積塔創(chuàng)能半導(dǎo)體有限公司的經(jīng)營范圍廣泛，涵蓋半導(dǎo)體分立器件銷售、電力電子元器件銷售、電子元器件批發(fā)與零售、技術(shù)服務(wù)與開發(fā)、電子產(chǎn)品及計算機(jī)軟硬件的銷售與技術(shù)支持、信息系統(tǒng)集成服務(wù)，以及貨物與技術(shù)進(jìn)出口等多項業(yè)務(wù)。

母公司背景

上海積塔半導(dǎo)體有限公司作為積塔創(chuàng)能的母公司，成立于2017年，專注于集成電路芯片特色工藝的研發(fā)與生產(chǎn)制造。公司為汽車電子、工業(yè)控制和高端消費電子領(lǐng)域提供微控制器、模擬電路、功率器件、傳感器等核心芯片特色工藝制造平臺和技術(shù)服務(wù)。積塔半導(dǎo)體自成立以來，已獲得包括上汽集團(tuán)、中微公司、華大半導(dǎo)體等在內(nèi)的多家產(chǎn)業(yè)資本投資，并持續(xù)擴(kuò)大在功率半導(dǎo)體和車規(guī)芯片領(lǐng)域的產(chǎn)能與技術(shù)投入。

目前，積塔半導(dǎo)體在中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)和徐匯區(qū)建有兩個廠區(qū)，已建和在建產(chǎn)能共計30萬片/月（折合8英寸計算），其中6英寸7萬片/月、8英寸12萬片/月、12英寸6萬片/月、碳化硅1萬片/月，展現(xiàn)了強(qiáng)大的生產(chǎn)制造能力。值得一提的是，其臨港生產(chǎn)基地是國家重點支持的集成電路項目之一，具備成熟的車規(guī)級芯片制造能力。

技術(shù)實力與創(chuàng)新

在技術(shù)層面，積塔半導(dǎo)體長期深耕功率IGBT工藝，積累了豐富的開發(fā)經(jīng)驗和量產(chǎn)經(jīng)驗。公司已成功開發(fā)了1200V~6500V平面非穿通型IGBT和平面場終止型IGBT，以及600V~1700V溝槽高能場終止型IGBT。這些技術(shù)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變、變頻器、焊機(jī)、智能電網(wǎng)、機(jī)車拖動等領(lǐng)域，體現(xiàn)了積塔半導(dǎo)體在功率IGBT工藝上的領(lǐng)先地位。

此外，積塔半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域也早早布局，是國內(nèi)較早具備碳化硅（SiC）功率器件制造能力的企業(yè)。其工藝技術(shù)平臺覆蓋多種類型，已建成自主知識產(chǎn)權(quán)的車規(guī)級650V/750V/1200V碳化硅JBS工藝平臺和MOSFET工藝平臺。2023年底，積塔半導(dǎo)體與安建半導(dǎo)體達(dá)成合作，進(jìn)一步加速平面型碳化硅MOS器件開發(fā)，并攜手邁進(jìn)新一代溝槽型碳化硅MOS器件開發(fā)，后者在成本和性能方面具有更強(qiáng)優(yōu)勢。

未來展望

此次設(shè)立積塔創(chuàng)能，被業(yè)內(nèi)視為積塔半導(dǎo)體在當(dāng)前國產(chǎn)替代加速、新能源汽車與工業(yè)智能化需求高漲背景下，進(jìn)一步整合資源、拓展市場渠道的戰(zhàn)略舉措。通過新公司開展元器件銷售與技術(shù)服務(wù)，有望打通“制造—銷售—應(yīng)用”閉環(huán)，提升客戶響應(yīng)效率與整體解決方案能力。

分析人士指出，在國家大力支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策環(huán)境下，積塔半導(dǎo)體此舉不僅有助于鞏固其在功率半導(dǎo)體和車規(guī)芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也將為上海臨港新片區(qū)打造世界級集成電路產(chǎn)業(yè)集群注入新動能。

責(zé)編：Luffy