SK海力士公布技術路線圖，轉型“全棧AI存儲創造者”

2025-11-04 來源：電子工程專輯

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近日，韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上，SK海力士CEO郭魯正（Kwak Noh-Jung）正式宣布了公司向 “全線AI存儲創造者”（Full Stack AI Memory Creator）轉型的戰略新愿景，在迎接下一個AI時代之前，SK 海力士能深化其角色。

這一轉變意味著SK海力士將從傳統的“全棧存儲供應商”角色演進為與客戶共同創新的“共同架構師、合作伙伴和生態貢獻者”。SK海力士將更深入地參與到客戶的早期設計階段，共同解決技術挑戰，提供定制化的內存解決方案（例如定制 HBM），并積極推動整個AI生態系統的發展與合作，而不僅僅是銷售硬件。

郭魯正指出，AI的加速應用導致信息流量爆炸性增長，但存儲性能未能與處理器進步保持同步，形成所謂的 “存儲墻”障礙。為此，存儲芯片不再只是普通元件，而是AI產業中的核心價值產品。

新戰略愿景：從供應商到共同創造者

SK海力士的新戰略基于對AI時代存儲需求的深刻洞察。郭魯正強調，隨著AI市場從商品化擴展到推理效率優化，單純的“供應商”角色已不足以滿足市場需求。

SK海力士將作為共同架構師，在AI計算領域超越客戶期望，通過生態系統合作解決客戶面臨的挑戰。

這一轉型反映了存儲芯片在AI產業鏈中價值地位的變化。存儲芯片不再是計算單元的附屬品，而是影響AI系統整體性能的核心要素。

SK集團董事長崔泰元在會上表示：“AI競爭應該從規模之爭轉向效率之爭，如果我們繼續只關注規模，將會耗費巨資并造成效率低下。”

產品路線圖：2026-2031年全棧布局

SK海力士公布了詳細的產品路線圖，涵蓋了從2026年至2031年的時間跨度。

2026-2028年，定制化HBM與AI專用存儲落地。

在HBM方面，SK海力士將推出HBM4 16層堆疊產品，并從HBM4E開始供應定制化HBM解決方案。定制化HBM通過將協議和控制器從XPU芯片移至HBM基礎裸片，為計算單元釋放更多空間，顯著降低接口能耗。

在DRAM領域，公司將推出LPDDR5R和LPDDR6等標準解決方案，同時引入全新的AI DRAM產品線。

NAND方面將推出PCIe Gen6企業級與客戶端固態硬盤，以及UFS 5.0等標準解決方案。

2029-2031年，HBM5與3D DRAM問世。中長期規劃中，SK海力士將全面進入HBM5世代。

通用DRAM領域將看到下一代GDDR7、DDR6以及晶體管結構發生重大變化的3D DRAM面世。NAND部分將實現400層以上堆疊，并推出PCIe Gen7 SSD和UFS 6.0等產品。

三大產品矩陣破解AI存儲瓶頸

為實現新愿景，SK海力士推出了三大核心產品矩陣，包括客制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）。這樣的布局將取代傳統存儲解決方案多半以計算為中心的情況，改以朝向多元化和擴展存儲功能的方向發展，目標是達成更高效的運算資源使用，并從結構上解決AI 推論瓶頸。

定制化HBM：最大化芯片性能

定制化HBM是將GPU和ASIC特定功能整合到HBM基礎裸片上的產品，能夠最大化GPU和ASIC性能，同時通過HBM減少數據傳輸功耗。

SK海力士的12層HBM4樣品已實現2TB/s帶寬，較前代提升60%以上，計劃2025下半年完成量產準備。目前，SK海力士占據全球HBM市場50%以上份額，是英偉達AI GPU的HBM3/HBM3E獨家供應商，2025-2026年HBM產能已全部售罄。

AI DRAM：三大方向解決不同場景需求

SK海力士將AI DRAM細分為三個方向：

1、AI-D O（Optimization）的優化，這是一種低功耗、高性能的DRAM，旨在降低總體擁有成本（TCO）并提高運營效率。該解決方案包括MRDIMM、SOCAMM以及LPDDR5R。

2、AI-D B（Breakthrough）的突破，這是面向克服“內存墻”的解決方案產品。其特點是超高容量內存和靈活的內存分配。該類別包含CMM和PIM。

3、AI-D E（Expansion）的擴展，目的是擴展DRAM的使用案例，不僅限于數據中心，還擴展至機器人、移動性（mobility）和工業自動化等領域。該解決方案包含HBM。

AI NAND：三重維度重構存儲性能

AI NAND戰略分為三個方向：

1、AI-N P（Performance）提高性能，強調超高性能的解決方案，旨在有效處理大規模AI推理任務產生的大量數據。通過將存儲與AI運算之間的瓶頸降至最低，顯著提高了處理速度和能源效率。SK海力士計劃設計具有新結構的NAND和控制器，并目標在2026年底前發布樣品。

2. AI-N B（Bandwidth）加大帶寬，通過垂直堆疊半導體晶粒來擴大帶寬，作為彌補HBM容量增長限制的解決方案。其關鍵在于將HBM的堆疊結構與高密度且具成本效益的NAND閃存結合。

3. AI-N D（Density）發展密度，通過達成超高容量來增強成本競爭力。這是一種高密度解決方案，適用于以低功耗和低成本存儲大量AI數據。SK海力士的目標是將密度從目前基于QLC的固態硬盤（SSD）的太字節（TB）級別提高到拍字節（PB）級別，并實現一種結合SSD速度和HDD成本效益的中端存儲解決方案。