臺積電、三星nm制程摻水，intel放棄nm制程叫法重命名
眾所周知，在14nm芯片工藝節點前，像臺積電、三星、intel等制造廠都是嚴格的按照摩爾定律來制造芯片的，那就是每18個月，晶體管密度就要翻一倍。
同時所謂的nm制程，是指晶體管的溝道長度，溝道長度是多少，就是多少nm工藝節點，嚴格對應的。
但后來隨著芯片越來越先進，摩爾定律已經很難實現了，因為晶體管慢慢的接近原子大小了。于是從10nm開始，臺積電、三星等就不再嚴格按照摩爾定律來了，同時在制程工藝上，也就開始了摻水。
具體來看，溝道長度與XXnm不再有直接對應關系了，這個是臺積電高管曾承認的，說XXnm更多的是營銷游戲了。另外從晶體管密度來看，也不再嚴格遵守18個月翻一倍的規則了。
而為了證明這一點，前段時間Digitimes就分析了臺積電、三星、Intel及IBM四家廠商10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的晶體管密度情況。
我們發現三星的芯片，在相同的節點，密度是最低的，而臺積電好一些，英特爾是最高的，可以說只有英特爾是真的在遵守摩爾定律的。
但或許也因為如此，所以英特爾對外公布的工藝節點是最落后的，因為目前才10nm，而三星、臺積電都已經5nm了。
可能也感受到了這些，所以英特爾近日做了一個重要決定，公布了公司有史以來最詳細的制程工藝和封裝技術路線圖，并徹底的拋棄nm工藝叫法。
簡單的來講，就是從下一代芯片開始，intel不會再說這是7nm，或者5nm，或者3nm，1nm等工藝了，而是起了一個新的命名。
下一代芯片，英特爾稱之為intel7，再是intel4、再是intel3，再到intel 20A…… 從這些命名，你能看出來是多少nm的么？已經不能了。
而在芯片每一代工藝對比上，英特爾采用的上每瓦性能將提升來說，比如Intel 7與英特爾10nm相比，每瓦性能將提升約10％－15％，而intel4與上一代相比，每瓦性能約提升20％，而Intel 3較Intel 4將在每瓦性能上提升約18％。
對此，不知道大家怎么看？很明顯，intel不愿意像臺積電、三星一樣在工藝節點上進行摻水，所以不想用這種nm命名，因為這樣會顯得自己嚴重落后于三星、臺積電。
所以intel啟用新的命名，這樣大家不會將自己的工藝與臺積電、三星來橫向對比了，畢竟intel4究竟是幾nm，誰也不知道啊。
