三星宣布：3nm芯片明年量產(chǎn)，GAA技術(shù)
眾所周知,目前全球最強(qiáng)的兩家芯片制造企業(yè)就是臺(tái)積電、三星了,去年就進(jìn)入了5nm。而其它芯片制造企業(yè),包括intel,都沒有進(jìn)入10nm以下。
而按照臺(tái)積電、三星的計(jì)劃,2022年會(huì)進(jìn)入3nm,至于具體到什么時(shí)候,則沒有太確切的說法,當(dāng)然兩家廠商,都想先對方一步。
畢竟在當(dāng)前的情況之下,如果能夠先一步進(jìn)入3nm,也就意味著可能會(huì)獲得更多的機(jī)會(huì),取得領(lǐng)先優(yōu)勢。
所以我們看到,在進(jìn)入3nm這個(gè)工藝時(shí),雙方也是明爭暗斗,臺(tái)積電繼續(xù)沿用FinFET晶體管技術(shù),以便更穩(wěn)妥,更快速進(jìn)入3nm。三星就兵出險(xiǎn)招,采用更先進(jìn)的GAA晶體管技術(shù)。
相比于FinFET晶體管技術(shù),GAAFET 架構(gòu)的晶體管提供比FinFET 更好的靜電特性,這樣漏電功率會(huì)降低,從而功耗降低。
而在昨天,也就是10月7日的“Samsung Foundry Forum 2021”論壇活動(dòng)上,三星正式宣布,將于2022年上半年量產(chǎn)3nm制程,更先進(jìn)的2nm制程將于2025年量產(chǎn)。
而三星也表示,3nm將采用全新的GAA(Gate-all-around,環(huán)繞柵極)技術(shù)。可以預(yù)見的是,GAA技術(shù)下的3nm的芯片,其性能有望領(lǐng)先于臺(tái)積電依然基于FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)工藝的3nm工藝。
而其3nm芯片,與5nm制程相較,GAA 制程技術(shù)將使得芯片面積可再減少35%,性能可提高30%或功耗降低50%。
目前三星的5nm芯片,已經(jīng)有高通、IBM、AMD、nvidia等客戶了,如果三星真的能夠領(lǐng)先臺(tái)積電,把GAA技術(shù)下的3nm芯片量產(chǎn)出來,預(yù)計(jì)還能夠再吸引到更多的客戶。
所以接下來就看臺(tái)積電怎么接招了,如果在采用FinFET晶體管的技術(shù)下,還比三星落后一步,那么對于臺(tái)積電而言,確實(shí)是壓力山大,畢竟當(dāng)前在14nm時(shí),三星也是因?yàn)镕inFET工藝領(lǐng)先,搶走了蘋果的訂單的,臺(tái)積電可不愿意讓歷史重演。
