三星電子官宣3nm將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)：性能提升30%，功耗下降50%！

已經(jīng)是全球第二大芯片代工巨頭的三星,并不滿足于如今的位置,其一直想要超越臺(tái)積電坐上全球第一的位置。

為此,三星一直想要搶先臺(tái)積電,公布下一代先進(jìn)芯片制程。在5nm制程上,三星慢了一步;而在接下來(lái)將亮相的3nm制程芯片上,三星則有超越的希望。

在日前舉行的“三星代工論壇2021大會(huì)”上,三星電子不僅亮出了全新的17nm LPV工藝,更透露了有關(guān)3nm芯片的最新消息。據(jù)了解,三星電子的新一代3nm芯片將在2022年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

這一時(shí)間雖比三星電子原本計(jì)劃中的2021年下半年量產(chǎn)要晚,但比臺(tái)積電計(jì)劃的2022年年中量產(chǎn)還是更早。而且此前還有消息稱,臺(tái)積電3nm將延期發(fā)布。

也就是說(shuō),在3nm芯片制程上三星有望搶得先機(jī),實(shí)現(xiàn)對(duì)臺(tái)積電的超越。若真如此,憑借著先發(fā)優(yōu)勢(shì)三星電子有望搶下更多的客戶,進(jìn)而提升自己的市場(chǎng)占比。

而且值得注意的是,在3nm制程技術(shù)上三星電子更為激進(jìn),這就使其產(chǎn)品更為先進(jìn)。

與繼續(xù)沿用更為成熟的FinFET技術(shù)的臺(tái)積電不同,三星電子認(rèn)為FinFET晶體管結(jié)構(gòu)的潛力已經(jīng)不多,因此其率先在3nm工藝中引入了GAA(全環(huán)繞柵極晶體管)技術(shù)。

與FinFET相比,GAAFET架構(gòu)的晶體管擁有更優(yōu)秀的靜電特性,且溝道控制能力更強(qiáng)。因此,GAA技術(shù)能實(shí)現(xiàn)更小芯片尺寸,從而帶來(lái)更強(qiáng)悍的性鞥呢提升。

據(jù)了解,三星電子為了發(fā)揮GAA的優(yōu)勢(shì),補(bǔ)足其短板費(fèi)了不小的功夫。如今來(lái)看,三星電子的種種努力并沒有白費(fèi)。

在日前舉行的論壇中,三星電子表示,其3nm GAA有望讓面積實(shí)現(xiàn)35%的縮減,而性能則大增30%,同性能下功耗更是降低50%。這一數(shù)值十分亮眼,料想其推出的芯片產(chǎn)品表現(xiàn)也不會(huì)差。

據(jù)悉,在2022年年初時(shí),3nm 3GAE(低功耗版)有望進(jìn)入量產(chǎn)階段;而在2023年年初,3nm 3GAP(高性能版)則有望實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

也就是說(shuō)在3nm芯片上,三星芯片的量產(chǎn)時(shí)間與質(zhì)量,都有望優(yōu)于臺(tái)積電。若真如此,明年或許便是三星電子的圓夢(mèng)時(shí)刻,其有望從臺(tái)積電手中搶過蘋果、高通等客戶。

有了在3nm制程上的經(jīng)驗(yàn),三星電子在2nm制程上的GAA技術(shù)將更是成熟,三星研發(fā)起來(lái)也將更加得心應(yīng)手。因此,在2nm制程上三星電子的進(jìn)度也有望不輸臺(tái)積電。

據(jù)了解,三星電子2nm產(chǎn)品有望在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),令人期待。

如今來(lái)看,臺(tái)積電正面臨著不小的威脅。雖然在芯片代工市場(chǎng)中,臺(tái)積電以超半數(shù)的市場(chǎng)份額,地位看似穩(wěn)固。

但其實(shí),三星電子、英特爾等都對(duì)臺(tái)積電虎視眈眈,且二者都有著不俗的實(shí)力。這樣看來(lái),臺(tái)積電在未來(lái)發(fā)展中,還是有著許多的挑戰(zhàn)。

面對(duì)這樣的狀況,臺(tái)積電將如何應(yīng)對(duì),這令人十分期待。同時(shí),三星3nm能否按照計(jì)劃如期問世,也讓我們拭目以待。